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J-GLOBAL ID：201302288052748516   整理番号：13A1317151

アブラプトFe/GaAs(001)薄膜におけるスピン注入に対する界面構造の相関

Correlating the interface structure to spin injection in abrupt Fe/GaAs(001) films

著者 (12件)： FLEET L.R. (Univ. York, York, GBR) ,  YOSHIDA K. (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YOSHIDA K. (Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN) ,  KOBAYSHI H. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KANEKO Y. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MATSUZAKA S. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHNO Y. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHNO H. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HONDA S. (Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN) ,  INOUE J. (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HIROHATA A. (Univ. York, York, GBR) ,  HIROHATA A. (JST-PRESTO, Kawaguchi, JPN)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 87  号： 2  ページ： 024401.1-024401.5  発行年： 2013年01月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気的スピン注入に関する研究は,最近進展しているが,強磁性/半導体ヘテロ構造への効果的再現可能なスピン注入の問題は,未解決のままである。ここでは,Fe/GaAs(001)薄膜の原子界面構造と従来型3ターミナル素子のスピン輸送特性との相関を調べる。収差補正高角アニュラ暗視野走査透過電子顕微鏡を用いて,微小領域で部分的に混合構造も観察されるアブラプトFe/GaAs界面を観察したので,報告する。バイアス依存性分極反転のない再現可能な挙動が3ターミナル素子で達成された。実験で用いた界面のab initio計算を用いて,少数キャリアから輸送への寄与が,界面構造に強く依存していることを示す。

シソーラス用語： 鉄 ,  *ヒ化ガリウム ,  半導体薄膜 ,  *注入 ,  スピン分極 ,  ヘテロ接合 ,  素子構造 ,  *表面構造 ,  ab initio法 ,  計算 ,  少数キャリア ,  輸送現象 ,  MBE成長 ,  キャリア密度 ,  電流 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： スピン注入 ,  ヘテロ構造 ,  界面構造 ,  ab initio計算 ,  スピン輸送 ,  バイアス電流

分類 (3件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (6件)： Fe ,  GaAs ,  薄膜 ,  スピン注入 ,  界面構造 ,  相関