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J-GLOBAL ID：201302288077074757   整理番号：13A0827880

低周波雑音解析によるZnO薄膜トランジスタのゲートバイアス応力不安定性の研究

Investigation of the Gate Bias Stress Instability in ZnO Thin Film Transistors by Low-Frequency Noise Analysis

著者 (8件)： JEONG Kwang-Seok (Chungnam National Univ., Daejeon, KOR) ,  YUN Ho-Jin (Chungnam National Univ., Daejeon, KOR) ,  KIM Yu-Mi (Chungnam National Univ., Daejeon, KOR) ,  YANG Seung-Dong (Chungnam National Univ., Daejeon, KOR) ,  LEE Sang-Youl (Chungnam National Univ., Daejeon, KOR) ,  KIM Young-Su (National Nanofab Center, Daejeon, KOR) ,  LEE Hi-Deok (Chungnam National Univ., Daejeon, KOR) ,  LEE Ga-Won (Chungnam National Univ., Daejeon, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 4,Issue 2  ページ： 04CF04.1-04CF04.5  発行年： 2013年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲートバイアス応力及び緩和下における電気的不安定性機構を調べるために,二種類のZnO薄膜トランジスタ(TFT)の1/f雑音スペクトルを解析した。ゲートバイアス依存性(S_IDS/I_DS)の観点から,両素子は応力前と後のチャンネル層中のトラップに基づく移動度揺らぎモデルに従った。素子A(チャンネル厚20nm)は緩和後に初期雑音パラメータ(αapp)を回復し,電流電圧特性の測定結果と厳密に一致した。これは素子Aでは応力負荷下の主な現象が結晶粒界トラップにおける一時的電荷捕獲であることを示した。しかし,素子B(チャンネル厚80nm)ではαappは緩和後も初期値を回復せず,V_TH,移動度,SS,N_tなどの移動パラメータはゲートバイアス応力後に劣化した。また,応力後,素子Bのゲート絶縁膜の絶縁破壊電圧が低下した。素子Bの電気的劣化は,チャンネル層内のものを含め,チャンネル/ゲート酸化膜界面付近の電荷注入やトラップの創造により説明できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  半導体薄膜 ,  *薄膜トランジスタ ,  1/f雑音 ,  スペクトル ,  バイアス ,  ゲート【半導体】 ,  移動度 ,  応力緩和 ,  応力 ,  電流電圧特性 ,  酸化膜 ,  キャリア注入 ,  キャリア捕獲 ,  *雑音解析 ,  低周波雑音
準シソーラス用語： ゲートバイアス ,  ゲート酸化膜 ,  雑音スペクトル ,  電荷注入

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (30件)：

• 1) Y. Ohya, T. Niwa, T. Ban, and Y. Takahashi: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) 297.
• 2) J. H. Chung, J. Y. Lee, H. S. Kim, N. W. Jong, and J. H. Kim: Thin Solid Films 516 (2008) 5597.
• 3) E. M. C. Fortunato, P. M. C. Barquinha, A. C. M. B. G. Pimentel, A. M. F. Goncalves, A. J. S. Marques, R. F. P. Martins, and L. M. N. Pereira: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 2541.
• 4) D. Zhao, D. A. Mourey, and T. N. Jackson: IEEE Electron Device Lett. 31 (2010) 323.
• 5) P. Ginn, M. Sander, J. Meyer, M. Kröger, E. Becker, H. H. Johannes, W. Kowalsky, and T. Riedl: Adv. Mater. 18 (2006)738.

タイトルに関連する用語 (8件)： 低周波雑音 ,  解析 ,  ZnO薄膜 ,  トランジスタ ,  ゲートバイアス ,  応力 ,  不安定性 ,  研究