バイオテンプレート技術と中性粒子ビームエッチングの組み合わせを用いて製作したGaAsナノディスクにおける量子サイズ効果

TAMURA Yosuke; TAMURA Yosuke; KAIZU Toshiyuki; KAIZU Toshiyuki; KIBA Takayuki; KIBA Takayuki; IGARASHI Makoto; IGARASHI Makoto; TSUKAMOTO Rikako; TSUKAMOTO Rikako; HIGO Akio; HU Weiguo; HU Weiguo; THOMAS Cedric; THOMAS Cedric; FAUZI Mohd Erman; FAUZI Mohd Erman; HOSHII Takuya; HOSHII Takuya; YAMASHITA Ichiro; YAMASHITA Ichiro; OKADA Yoshitaka; OKADA Yoshitaka; MURAYAMA Akihiro; MURAYAMA Akihiro; SAMUKAWA Seiji; SAMUKAWA Seiji

文献

J-GLOBAL ID：201302288465254848 整理番号：13A1377141

バイオテンプレート技術と中性粒子ビームエッチングの組み合わせを用いて製作したGaAsナノディスクにおける量子サイズ効果

Quantum size effects in GaAs nanodisks fabricated using a combination of the bio-template technique and neutral beam etching

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資料名：
巻： 24 号： 28 ページ： 285301,1-6 発行年： 2013年07月19日
JST資料番号： W0108A ISSN： 0957-4484 CODEN： NNOTER 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

著者らは,異なるナノディスク(ND)高さを持つGaAs ND構造を製作しているが,ND高さの制御が比較的に簡単であるのに対して,NDの直径は中性粒子ビームエッチングプロセスでの正確な制御が必要である。本論文では,GaAs NDの直径を制御するトップダウン・ナノ技術を開発し,光ルミネセンス(PL)分光を通して,この技術の有効性を検証した。独立に制御できるパラメータである膜厚と直径を持つ高品質のGaAs NDを含む垂直GaAs/AlGaAsナノピラーを製作した。直径の制御は水素ラジカル処理時間の調節で制御した。直径は水素ラジカル処理時間の増加とともに減少した。製作したNDは数百psのPL寿命を示し,製作した構造に損傷がないことを証明した。

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半導体集積回路

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