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J-GLOBAL ID：201302288923720179   整理番号：13A0351076

ガスクラスターイオンビーム照射システムを備えた直交加速TOF装置の開発

Development of gas cluster ion beam irradiation system with an orthogonal acceleration TOF instrument

著者 (8件)： ICHIKI K. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TAMURA J. (JEOL Ltd, Tokyo, JPN) ,  SEKI T. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SEKI T. (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  AOKI T. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  AOKI T. (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  MATSUO J. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MATSUO J. (JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 45  号： 1  ページ： 522-524  発行年： 2013年01月 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガスクラスターイオンビーム(GCIB)の照射下で,ロイシン,アルギニン,ポリ(ビスフェノールAカーボネート),ポリスチレン,及びポリ(メチルメタクリレート)などの種々の有機・高分子材料の基本骨格が損なわれずに大きな2次イオン収量,大きなエッチング収量,及び一定のエッチング速度が報告された。本研究で筆者らは。市販の直交加速飛行時間型システムに小型のGCIB装置を装着した二次イオン質量分析(SIMS)計を開発してアルゴンクラスターイオンビームによるアルギニン試料のスパッタリング収量と2次イオンスペクトルを測定した。スパッタリング収量の測定から見積もったGCIBの入射エネルギーは,残留ガスによる衝突によって減少しなかった。二次イオン測定における[Arg₈+H]⁺(m/z=1393)などの高質量分子の検出が達成された。したがって,GCIB照射を利用するSIMS装置によって,高速二次イオンイメージングが可能になった。

シソーラス用語： *イオンビーム ,  *二次イオン質量分析 ,  ビスフェノールAポリカーボネート ,  スパッタリング ,  アルゴン ,  ポリスチレン ,  エッチング ,  脂肪族アミン ,  脂肪族カルボン酸 ,  分枝鎖アミノ酸 ,  アミノ酸 ,  第一アミン ,  オレフィン化合物 ,  不飽和カルボン酸 ,  カルボン酸エステル
準シソーラス用語： *ガスクラスターイオンビーム ,  *TOF-SIMS ,  イオンイメージング

分類 (2件)： 質量分析  (CC03013N) ,  質量分析計  (BD02060M)

物質索引 (3件)： ロイシン ,  アルギニン ,  メチルメタクリレート

タイトルに関連する用語 (4件)： ガスクラスターイオンビーム ,  加速 ,  TOF ,  開発