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J-GLOBAL ID：201302289104874384   整理番号：13A0498423

Ti/HfO₂に基づく抵抗メモリのメモリ性能に及ぼすメタライゼーション後焼なましの影響

Impacts of post-metallization annealing on the memory performance of Ti/HfO₂-based resistive memory

著者 (3件)： CHEN Pang-Shiu (MingShin Univ. Sci. and Technol. Hsinfong, Hsinchu, TWN) ,  CHEN Yu-Sheng (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  LEE Heng-Yuan (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 28  号： 2  ページ： 025016,1-7  発行年： 2013年02月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *記憶素子 ,  メタライゼーション ,  *焼なまし ,  *酸化ハフニウム ,  *チタン ,  多層膜 ,  電子顕微鏡観察 ,  電流電圧特性 ,  X線光電子スペクトル ,  スイッチング ,  Weibull分布 ,  *記憶特性
準シソーラス用語： 抵抗スイッチング ,  *抵抗メモリ

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ti ,  HfO2 ,  抵抗メモリ ,  メタライゼーション ,  焼なまし