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J-GLOBAL ID：201302290493619449   整理番号：13A0937294

異なるキャッピングの組み合わせの分子ビームエピタキシャル成長InAsサブモノレーヤ量子ドットに関する総合的研究

Comprehensive study on molecular beam epitaxy-grown InAs sub-monolayer quantum dots with different capping combinations

著者 (5件)： SENGUPTA Saumya (Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai 400076, Maharashtra, IND) ,  MANDAL Arjun (Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai 400076, Maharashtra, IND) ,  GHADI Hemant (Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai 400076, Maharashtra, IND) ,  CHAKRABARTI Subhananda (Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai 400076, Maharashtra, IND) ,  MATHUR Keshav Lal (Electronics and Communication Engineering Dep., Sardar Vallabhbhai National Inst. Technol., Surat 395007, Gujarat, IND)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 31  号： 3  ページ： 03C136-03C136-4  発行年： 2013年05月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なるキャッピング層を有するInAsサブモノレイヤ量子ドットに関する総合的研究を報告した。InAs堆積とGaAs厚さの体系的最適化を行った後,固相分子ビームエピタクシーにより同じアーキテクチャで異なるキャッピング材料(2nmのGaAs,InGaAs-GaAs,InAlGaAs-GaAs)の3つの試料,A,B,C,を成長した。ドットからの基底状態遷移による光ルミネセンスピークが試料A,B,Cに対してそれぞれ898,917,867nmに観測された。発光ピークの狭い半値全幅(19~32meV)はドットサイズ分布の高い一様性を示している。通常のArrheniusプロットを用いて,試料A,B,Cに対する温度依存光ルミネセンス実験から熱的活性化エネルギーをそれぞれ49,112,109meVと計算した。研究を完結するために,試料A,B,Cから単一画素光検出器を作製し,温度依存暗電流の印加バイアス電圧による変化を測定した。暗電流は77Kで0.5Vの印加バイアスで10^-5-10^-4A/cm²の範囲にあると計算された。試料A,B,Cに対する温度依存暗電流測定から計算された活性化エネルギーはそれぞれ75,160,155meVであり,それらは温度依存光ルミネセンス測定で観測された傾向に従った。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *量子ドット ,  保護膜 ,  *光ルミネセンス ,  *ヒ化インジウム ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  固溶体 ,  赤外発光スペクトル ,  FWHM ,  暗電流 ,  ヘテロ接合 ,  埋込み【挿入】 ,  *自己集合 ,  *赤外検出器
準シソーラス用語： キャップ層

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (8件)： キャッピング ,  組み合わせ ,  分子ビームエピタキシャル成長 ,  InAs ,  サブ ,  モノレーヤ ,  量子ドット ,  研究