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J-GLOBAL ID：201302290879344894   整理番号：13A0340311

低速陽電子ビームで調べたZnOにおけるイオン注入誘起欠陥へのSi⁺イオンの化学的影響

Chemical effect of Si⁺ ions on the implantation-induced defects in ZnO studied by a slow positron beam

著者 (7件)： JIANG M. (Hubei Nuclear Solid Physics Key Lab., Dep. of Physics, Wuhan Univ., Wuhan 430072, CHN) ,  WANG D. D. (Hubei Nuclear Solid Physics Key Lab., Dep. of Physics, Wuhan Univ., Wuhan 430072, CHN) ,  CHEN Z. Q. (Hubei Nuclear Solid Physics Key Lab., Dep. of Physics, Wuhan Univ., Wuhan 430072, CHN) ,  KIMURA S. (Fac. of Pure and Applied Sci., Tsukuba Univ., Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  YAMASHITA Y. (Fac. of Pure and Applied Sci., Tsukuba Univ., Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  MORI A. (Fac. of Pure and Applied Sci., Tsukuba Univ., Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  UEDONO A. (Fac. of Pure and Applied Sci., Tsukuba Univ., Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 113  号： 4  ページ： 043506-043506-7  発行年： 2013年01月28日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  単結晶 ,  *イオン注入 ,  カチオン ,  ケイ素 ,  *空孔欠陥 ,  クラスタ ,  凝結 ,  変化 ,  非晶質 ,  発展 ,  *微細構造 ,  後熱処理 ,  X線回折 ,  陽電子消滅 ,  Raman散乱 ,  光ルミネセンス ,  透過型電子顕微鏡 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  *陽電子ビーム
準シソーラス用語： HRTEM ,  ケイ素イオン ,  ミクロ組織進展 ,  無秩序化 ,  *低速陽電子ビーム

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低速陽電子ビーム ,  ZnO ,  イオン注入 ,  誘起 ,  欠陥 ,  イオン ,  化学