文献

J-GLOBAL ID：201302291831497610   整理番号：13A0539409

200mmシリコン(111)基板の上のAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの一様な成長

Uniform Growth of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on 200nm Silicon(111) Substrate

著者 (9件)： CHRISTY Dennis (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  EGAWA Takashi (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  YANO Yoshiki (Taiyo Nippon Sanso Corp., Ibaraki, JPN) ,  TOKUNAGA Hiroki (Taiyo Nippon Sanso Corp., Ibaraki, JPN) ,  SHIMAMURA Hayato (Taiyo Nippon Sanso EMC Ltd., Tokyo, JPN) ,  YAMAOKA Yuya (Taiyo Nippon Sanso Corp., Ibaraki, JPN) ,  UBUKATA Akinori (Taiyo Nippon Sanso Corp., Ibaraki, JPN) ,  TABUCHI Toshiya (Taiyo Nippon Sanso Corp., Ibaraki, JPN) ,  MATSUMOTO Koh (Taiyo Nippon Sanso EMC Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 6  号： 2  ページ： 026501.1-026501.4  発行年： 2013年02月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 200mmのシリコン基板の上に有機金属化学蒸着(MOCVD)によって成長させた,亀裂のないAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)について述べる。成長させたままのエピタキシャル層は,ウエハのいたるところで良い表面一様性を示す。1.5μmのゲート長を持つAlGaN/GaN HEMTは,856mA/mmの高いドレーン電流密度と,153mS/mmの相互コンダクタンスを示す。厚さ3.8μmの素子は,20μmのゲート-ドレーン間隔で,1.1kVの高い破壊電圧と2.3mΩcm²の低いオン比抵抗を実証する。我々の素子の性能指数を,5.3×10⁸V²Ω^-1cm^-2と計算する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *HEMT ,  アルミニウム化合物 ,  窒化ガリウム ,  ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  結晶成長 ,  MOCVD ,  層 ,  エピタクシー ,  均一性 ,  ゲート【半導体】 ,  電流密度 ,  相互コンダクタンス ,  電圧 ,  絶縁破壊 ,  電気抵抗率 ,  性能指数 ,  *化合物半導体
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  シリコン基板

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (21件)：

• WANG, X. L. Solid-State Electron. 2005, 49, 1387
• CHINI, A. Electron. Lett. 2004, 40, 73
• HIGASHIWAKI, M. Appl. Phys. Express. 2008, 1, 021103
• KANAMURA, M. IEDM Tech. Dig., 2005. 2005, 572
• SUN, H. IEEE Electron Device Lett. 2009, 30, 107

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  成長