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J-GLOBAL ID：201302293860491135   整理番号：13A0072784

3D集積化におけるキー技術の信頼性

Reliability of key technologies in 3D integration

著者 (2件)： KO Cheng-ta (Dep. of Electronics Engineering, National Chiao Tung Univ., Taiwan) ,  CHEN Kuan-neng (Dep. of Electronics Engineering, National Chiao Tung Univ., Taiwan)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 53  号： 1  ページ： 7-16  発行年： 2013年01月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3D ICパッケージングは,微小化,高性能,低電力消費,高密度および異種集積化を提供する。貫通-シリコン-ビア(TSV)およびボンディング技術は3D ICのキー技術であり,対応する信頼性は,実際の製造適用の前によく評価され,認証されなければならない。本論文は,ZiptronixのプラットフォームにおけるCuと酸化物ハイブリッドボンディング,ITRIのプラットフォームにおけるマイクロバンプおよび接着剤ハイブリッドボンディング,WOW同盟のプラットフォームにおけるTSV形成を伴う接着剤ボンディング,Xilinxのプラットフォームにおける広いI/OインタフェイスTSVインターポーザー,およびSamsun,TSMCおよびASEのプラットフォームにおける能動と受動TSVインターポーザーの信頼性実証を含む,最近の信頼性評価結果により,世界規模の3D集積化プラットフォームにおける先端3D相互接続技術を再検討した。低温ボンディングとTSVプロセス,誘起応力と反りを低減するための最適化設計と材料選択により,これらのプラットフォームの信頼性を増加させて開発することに成功した。大量生産における3D ICの実行可能性に対処するために,これらの代表的なプラットフォームによる3D集積化におけるキー技術の信頼性を本論文において要約した。それは3D集積化技術の将来の開発と応用に対するガイドラインとなり得ると思われる。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 立体構造 ,  *ICパッケージ ,  *高密度実装 ,  信頼度 ,  *ボンディング【IC】 ,  相互接続 ,  バンプ ,  固体回路部品 ,  多層配線 ,  信頼性設計 ,  最適設計
準シソーラス用語： インターポーザ ,  マイクロバンプ ,  回路の信頼性

分類 (3件)： プリント回路  (NA05040O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (2件)： 3D集積化 ,  キー