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J-GLOBAL ID：201302296509393673   整理番号：13A0636457

グラフェンにおけるバリスティック伝導・光電圧効果

Ballistic transport and photovoltaic effect in graphene/h-BN

著者 (12件)： 町田友樹 (東大 生産技研) ,  町田友樹 (東大 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構) ,  町田友樹 (JST-さきがけ) ,  増渕覚 (東大 生産技研) ,  増渕覚 (東大 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構) ,  大貫雅広 (東大 生産技研) ,  井口和之 (東大 生産技研) ,  森川生 (東大 生産技研) ,  山口健洋 (東大 生産技研) ,  荒井美穂 (東大 生産技研) ,  渡邊賢司 (物質・材料研究機構) ,  谷口尚 (物質・材料研究機構)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 445(ED2012 128-143)  ページ： 1-5  発行年： 2013年02月20日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高移動度グラフェン/h-BNのバリスティック伝導に起因する磁気抵抗効果を調べた。バリスティックに伝導するディラックフェルミオンが伝導チャネル端で拡散的に散乱されることにより生じる磁気抵抗のピーク構造を観測した。磁気抵抗ピークにおけるサイクロトロン半径と伝導チャネル幅の整合係数は半導体二次元電子系とは異なる値を取り,グラフェン特有の端散乱の存在を示唆している。グラフェン/h-BNにおけるサイクロトロン共鳴により生じる光起電力効果についても議論する。(著者抄録)

シソーラス用語： *炭素材 ,  ナノ構造 ,  *バリスティック輸送 ,  *光起電力効果 ,  磁気抵抗効果 ,  フェルミオン ,  伝導バンド ,  サイクロトロン共鳴 ,  移動度 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： Diracフェルミオン ,  高移動度 ,  伝導帯

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン ,  バリスティック伝導 ,  光電 ,  圧効果