多層MgB<sub>2</sub>/Ni及びMgB<sub>2</sub>/B超伝導薄膜における人工的ピン止め中心としてのNi及びB層のナノ構造キャラクタリゼーション

SOSIATI H.; HATA S.; DOI T.; MATSUMOTO A.; KITAGUCHI H.; NAKASHIMA H.

文献

J-GLOBAL ID：201302298455968961 整理番号：13A0954974

多層MgB₂/Ni及びMgB₂/B超伝導薄膜における人工的ピン止め中心としてのNi及びB層のナノ構造キャラクタリゼーション

Nanostructure characterization of Ni and B layers as artificial pinning centers in multilayered MgB₂/Ni and MgB₂/B superconducting thin films

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資料名：
巻： 488 ページ： 1-8 発行年： 2013年05月15日
JST資料番号： T0580A ISSN： 0921-4534 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

電子ビーム蒸着により作製したMgB₂/Ni及びMgB₂/B多層膜を詳細に研究した。平行場における多層膜の臨界電流が,ナノサイズNi及びB層の人工的ピン止め中心の導入により,単層MgB₂膜のそれより高いことを示唆した。ピン止め中心のナノ構造キャラクタリゼーションを,磁束ピン止めの機構を理解するためにTEM及びSTEM-EDSにより調べた。膜厚方向に沿った柱状MgB₂結晶粒の成長を,MgB₂/B多層膜ではなく,MgB₂/Ni多層膜において確認した。ナノサイズNi層は,Ni原子が,MgB₂格子に組み込まれて,(Mg,Ni)B₂層を形成すると解釈されるような結晶エピタキシャル層として存在した。他方,ナノサイズB層は,非晶質層であった。結晶(Mg,Ni)B₂層は,非晶質B層より効果的に働き,MgB₂/B多層膜よりMgB₂/Ni多層膜のより高いJ_cを生じる高い磁束ピン止め力を与えた。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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その他の無機化合物の薄膜 , 金属薄膜 , 金属系超伝導体の物性 , 半導体と絶縁体の電気伝導一般 , その他の無機化合物の格子欠陥

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多層MgB2/Ni及びMgB2/B超伝導薄膜における人工的ピン止め中心としてのNi及びB層のナノ構造キャラクタリゼーション

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