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J-GLOBAL ID：201302299615057096   整理番号：12A1789774

酸化中のSi及びC原子のSiC層への放出現象における理論的検討

Theoretical studies for Si and C emission into SiC layer during oxidation

著者 (3件)： 土方泰斗 (埼玉大 大学院理工学研究科) ,  矢口裕之 (埼玉大 大学院理工学研究科) ,  吉田貞史 (産業技術総合研 先進パワーエレクトロニクス研究セ)
資料名： 埼玉大学工学部紀要 第1部 論文集(Web)  (埼玉大学紀要 工学部 第1部 論文集(Web))
号： 44  ページ： 34-37 (WEB ONLY)  発行年： 2011年12月 
JST資料番号： U0089A  ISSN： 1880-4446  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 酸化中のSiC基板側へのSi及びC原子の放出を研究し,原子拡散による濃度プロファイルを求めた。酸化により,SiC層へ放出されたSi及びC格子間原子の分布を計算する理論式を提案した。計算から,格子間原子が,界面から数nmの厚さに局在することが分かった。この厚さは,分光エリプソメトリにより求めた高屈折率界面層の厚さと同程度であった。計算プロファイルは,実測値に近いことが分かった。このことから,分光エリプソメトリにより観測された高屈折率界面層が,Si及びC格子間原子を含むSiC層であるという仮説を強く支持した。

シソーラス用語： MOSFET ,  *炭化ケイ素 ,  酸化膜 ,  *界面 ,  *ケイ素 ,  *炭素 ,  *格子間原子 ,  偏光解析法 ,  境界層 ,  屈折率 ,  化合物半導体 ,  基板 ,  酸化 ,  *固体内拡散 ,  不純物拡散 ,  *深さプロフィル ,  *MOS構造
準シソーラス用語： 界面層 ,  高屈折率 ,  分光エリプソメトリ

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸化 ,  Si ,  C原子 ,  SiC ,  放出 ,  現象 ,  理論