特許
J-GLOBAL ID：201303000180848825

発光装置

発明者：
小西 正宏

小西 正宏 について

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近藤 正樹

近藤 正樹 について

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堀尾 隆昭

堀尾 隆昭 について

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松尾 孝信

松尾 孝信 について

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幡 俊雄

幡 俊雄 について

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太田 清久

太田 清久 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-032608
公開番号（公開出願番号）：特開2013-093635
出願日： 2013年02月21日
公開日（公表日）： 2013年05月16日
要約：
【課題】光の取り出し効率を高くし、かつ、反射層の変質、劣化、ならびに反射率の低下を防ぐ発光装置を提供する。【解決手段】発光装置1002は、LEDチップ4からの出射光を反射しLTCC基板10上に形成された銀反射層2と、銀反射層2を被覆し銀反射層2の反射光を透過するガラス層3とを備える。LEDチップ4からLTCC基板10側への出射光を銀反射層2が反射することで、出射光のロスを減少させ有効に活用でき、発光装置の発光量を高めることができる。また、銀反射層2をガラス層3で被覆しているため、銀反射層2の変質、または劣化、さらにはそれに起因した反射率の低下を抑制できる。また、配線パターン9はLTCC基板10上又はガラス層3上に互いに平行に距離をおいて形成され、LEDチップ4は配線パターン9間に複数設置されており、配線パターン9とLEDチップ4とはボンディングワイヤWによって接続されている。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
基板上に光を出射する半導体装置及び複数の外部接続端子を有する発光装置において、 前記基板上に形成され、前記半導体装置からの出射光を反射する光反射層と、 少なくとも前記光反射層を被覆し、かつ、前記光反射層にて反射した光を透過する被覆層とを備え、 前記半導体装置は、前記被覆層上に形成されるとともに、前記外部接続端子と接続部を介して電気的に接続されており、 前記半導体装置と前記接続部とを覆うように封止樹脂で封止されており、 前記半導体装置は、発光ダイオードチップであり、 前記被覆層は、ガラスから成り、 前記接続部は配線パターン及びボンディングワイヤから成り、 前記配線パターンは、前記基板上もしくは前記被覆層上に、互いに平行に、かつ、互いに距離をおいて形成され、 前記半導体装置は、前記配線パターン間に複数設置されており、 前記配線パターンと前記半導体装置とは前記ボンディングワイヤによって接続されていることを特徴とする発光装置。
IPC (2件)：
H01L 33/62 ,  H01L 33/60
FI (2件)：
H01L33/00 440 ,  H01L33/00 432
Fターム (41件)：
5F142AA04 ,  5F142AA64 ,  5F142AA72 ,  5F142AA73 ,  5F142BA02 ,  5F142BA32 ,  5F142CA02 ,  5F142CB12 ,  5F142CB23 ,  5F142CD02 ,  5F142CD16 ,  5F142CD18 ,  5F142CD32 ,  5F142CD44 ,  5F142CD45 ,  5F142CD47 ,  5F142CE06 ,  5F142CE13 ,  5F142CF03 ,  5F142CF13 ,  5F142CF23 ,  5F142CG03 ,  5F142CG04 ,  5F142CG05 ,  5F142CG06 ,  5F142CG23 ,  5F142CG26 ,  5F142CG32 ,  5F142CG43 ,  5F142CG45 ,  5F142DA02 ,  5F142DA03 ,  5F142DA12 ,  5F142DA16 ,  5F142DA73 ,  5F142DB38 ,  5F142EA16 ,  5F142EA32 ,  5F142FA44 ,  5F142GA22 ,  5F142GA24
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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