特許
J-GLOBAL ID：201303000507083860

光電変換素子、光電変換素子の製造方法および電子機器

発明者：
安食 嘉晴

安食 嘉晴 について

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篠原 祐治

篠原 祐治 について

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三好 孝則

三好 孝則 について

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小村 伸弥

小村 伸弥 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について

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帝人株式会社

帝人株式会社 について


代理人 (2件)： 増田 達哉 ,  朝比 一夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-199450
公開番号（公開出願番号）：特開2009-037779
特許番号：特許第5175498号
出願日： 2007年07月31日
公開日（公表日）： 2009年02月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の電極と、 該第1の電極と対向して設けられた第2の電極と、 前記第1の電極と前記第2の電極との間に位置する電子輸送層と、 該電子輸送層と接触する色素層と、 前記電子輸送層と前記第2の電極との間に位置し、レドックスイオンを含む電解液を含む電解質層と、を有し、 前記電子輸送層は、そのうちの前記電解質側の部分であって金属酸化物を主成分とする半導体材料よりなる複数の繊維状物が三次元的に組み合わされてなる網目状構造を有し前記レドックスイオンが通過可能な多孔質部と、前記多孔質部以外の部分であって前記繊維状物の平均繊維径よりも平均粒径の小さい粒子の集合体で構成された緻密質部とで構成されており、 前記繊維状物は、平均繊維径が1μm以下であり、かつ、繊維径が5μm以上のものを実質的に含まないものであることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件)：
H01M 14/00 ( 200 6.01) ,  H01L 31/04 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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