特許
J-GLOBAL ID：201303000770799307

パワー半導体モジュール

発明者：
高尾 和人

高尾 和人 について

, 
四戸 孝

四戸 孝 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (3件)： 池上 徹真 ,  須藤 章 ,  松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-195670
公開番号（公開出願番号）：特開2013-059190
出願日： 2011年09月08日
公開日（公表日）： 2013年03月28日
要約：
【課題】 電力損失が小さく、発生ノイズが小さいパワー半導体モジュールを実現する。【解決手段】 ワイドバンドギャップ半導体を利用したユニポーラ型スイッチング素子(ワイドバンドギャップ半導体スイッチング素子)1とシリコン半導体を利用した絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(Si-IGBT)2を並列接続したパワー半導体モジュールで、ワイドバンドギャップ半導体素子1のチップ面積はSi-IGBT2のチップ面積よりも小さいことを特徴とする。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
ワイドバンドギャップ半導体を利用したユニポーラ型スイッチング素子(ワイドバンドギャップ半導体スイッチング素子)とシリコン半導体を利用した絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(Si-IGBT)を並列接続したパワー半導体モジュールで、 ワイドバンドギャップ半導体素子のチップ面積はSi-IGBTのチップ面積よりも小さく、 該パワー半導体モジュールのオン電圧は、Si-IGBTと同じチップ面積のワイドバンドギャップ半導体スイッチング素子のオン電圧と同程度とすることを特徴としたパワー半導体モジュール。
IPC (1件)：
H02M 1/08
FI (2件)：
H02M1/08 341B ,  H02M1/08 351Z
Fターム (8件)：
5H740BA11 ,  5H740BA12 ,  5H740BB08 ,  5H740BC01 ,  5H740BC02 ,  5H740JA01 ,  5H740JB01 ,  5H740NN17
引用特許：
審査官引用 (3件)

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