特許
J-GLOBAL ID：200903023588370769
半導体スイッチ回路
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-194675
公開番号（公開出願番号）：特開2006-020405
出願日： 2004年06月30日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：
【課題】 電力変換装置のスイッチング手段または整流手段として用いられる半導体スイッチ回路の発生損失を低減する。【解決手段】 逆並列接続される外付けダイオードまたは内蔵ダイオードを還流ダイオードとするSiCを素材とする静電誘導トランジスタを主スイッチ素子に並列に接続し、オン・オフ制御のタイミングを主スイッチ素子に同期させる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
電力変換装置のスイッチング手段として用いられる半導体スイッチ回路において、該半導体スイッチ回路は自己消弧形デバイスを主スイッチ素子とし、主スイッチ素子に並列接続されたSiCを素材としたユニポーラ型自己消弧形デバイスを補助スイッチ素子とし、補助スイッチ素子のオン・オフのタイミングを主スイッチ素子に同期させたことを特徴とする半導体スイッチ回路。
IPC (3件)：
H02M 1/08
, H02M 7/538
, H03K 17/56
H02M1/08 341B
, H02M7/5387 Z
, H03K17/56 Z
5H007AA03
, 5H007CA01
, 5H007CB02
, 5H007CB05
, 5H007CC07
, 5H740BA11
, 5H740BA15
, 5H740BA16
, 5H740BB02
, 5J055AX26
, 5J055BX16
, 5J055CX19
, 5J055DX08
, 5J055DX09
, 5J055DX10
, 5J055EY12
, 5J055EY13
, 5J055EY16
, 5J055EZ17
, 5J055GX02
