特許
J-GLOBAL ID：201303001994745209

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-155482
公開番号（公開出願番号）：特開2013-042121
出願日： 2012年07月11日
公開日（公表日）： 2013年02月28日
要約：
【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。【解決手段】インジウム、チタン、及び亜鉛を含む酸化物半導体層をチャネル形成領域とするトランジスタ、及び該トランジスタを含む半導体装置を提供する。酸化物半導体層に接するバッファ層としては、チタン、アルミニウム、ガリウム、ジルコニウム、ハフニウム、又は希土類元素から選択された一以上の元素の酸化物を含む金属酸化層を適用することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
バッファ層と、 前記バッファ層上に接して設けられたインジウム、チタン、及び亜鉛を含む酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体層と重畳するゲート電極層と、を有する半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/363 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34
FI (5件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  H01L21/363 ,  C23C14/08 K ,  C23C14/34 N
Fターム (81件)：
4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BA50 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  4K029FA01 ,  4K029GA00 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103GG03 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103HH10 ,  5F103LL07 ,  5F103LL13 ,  5F103PP03 ,  5F103PP04 ,  5F103RR05 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110BB01 ,  5F110BB10 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG17 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ22 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110NN02 ,  5F110NN12 ,  5F110NN27 ,  5F110PP10 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (3件)

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