特許
J-GLOBAL ID：201303002557826832
半導体素子の銅金属配線形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中川 裕幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-011339
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299296
特許番号：特許第5084071号
出願日： 2000年01月20日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 反応チャンバとリキッドデリバリーシステムで構成された銅蒸着装備が提供される段階と、
ウェーハを前記反応チャンバに積載する段階と、
前記リキッドデリバリーシステムで(hfac)Cu(VTMOS)前駆体を気化させる段階と、
前記気化した(hfac)Cu(VTMOS)前駆体を反応チャンバに流入させる段階と、
有機金属化学気相蒸着工程で前記ウェーハに銅を蒸着する段階とを含むが、
前記リキッドデリバリーシステムは、コントロールバルブと熱交換器を持つベーパライザ及び前記反応チャンバに連結されたガスラインを含むコントロールエバポレーションミキサーで、前記コントロールバルブの温度は常温に維持し、前記熱交換器の温度は50乃至120°Cに設定し、前記コントロールバルブに流入されるキャリアガスの温度は20乃至140°Cに制御し、前記ガスラインの温度は前記熱交換器の温度と同じか、前記熱交換器の温度より5乃至20°C高く維持させることを特徴とする半導体素子の銅金属配線形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/285 ( 200 6.01)
, C23C 16/18 ( 200 6.01)
, H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 23/532 ( 200 6.01)
H01L 21/285 C
, C23C 16/18
, H01L 21/88 M
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (10件)
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引用文献：
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