特許
J-GLOBAL ID：201303003457323082
粒子線照射システム及び荷電粒子ビームの補正方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
井上 学
, 戸田 裕二
, 岩崎 重美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-238162
公開番号（公開出願番号）：特開2013-094313
出願日： 2011年10月31日
公開日（公表日）： 2013年05月20日
要約：
【課題】照射線量一様度を低下させずにビーム利用効率を高めることのできる粒子線照射システムを提供する。【解決手段】 イオンビーム10を加速して出射するシンクロトロン13と、シンクロトロン13から出射されたイオンビーム10を照射する照射装置30とを有し、照射装置30から一単位の照射を複数回行う粒子線照射システムにおいて、シンクロトロン13内の蓄積ビーム電荷量(Qmeas)を計測する蓄積ビーム電荷量計測手段15と、蓄積ビーム電荷量計測手段で計測した蓄積ビーム電荷量(Qmeas)に基づき、シンクロトロン13から出射する目標ビーム電流値(Ifb)を設定する目標電流設定手段と、前記目標電流設定手段より求められた出射ビーム電流の目標値(Ifb)に基づきビーム電流を制御する出射ビーム電流補正制御手段を備えることを特徴とする粒子線照射システム。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
イオンビームを加速して出射するシンクロトロンと、前記シンクロトロンから出射された前記イオンビームを照射する照射装置とを有し、前記照射装置から一単位の照射を複数回行う粒子線照射システムにおいて、
前記シンクロトロン内の蓄積ビーム電荷量を計測する蓄積ビーム電荷量計測手段と、
前記蓄積ビーム電荷量計測手段で計測した蓄積ビーム電荷量に基づき、前記シンクロトロンから出射する目標ビーム電流値を設定する目標電流設定手段と、
前記目標電流設定手段より求められた前記目標ビーム電流値に基づきビーム電流を制御する出射ビーム電流補正制御手段を備えることを特徴とする粒子線照射システム。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
4C082AA01
, 4C082AC04
, 4C082AG02
, 4C082AG09
, 4C082AG12
, 4C082AP02
