特許
J-GLOBAL ID：201303004430120763
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
久原 健太郎
, 内野 則彰
, 木村 信行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-050886
公開番号（公開出願番号）：特開2013-187325
出願日： 2012年03月07日
公開日（公表日）： 2013年09月19日
要約：
【課題】占有面積が小さく、抵抗体を有する半導体装置を提供する。【解決手段】金属配線層上の絶縁膜中に金属配線層に達する円柱状コンタクトホールを形成し、この円柱状コンタクトホール側面に円筒状の抵抗体を形成する。内部の円筒状抵抗体は深さ方向に長く、円周上で同じ厚さで形成することが可能であるため、厚みを薄く作成することで温度変化に対する抵抗変化が少なく占有面積の少ない縦型抵抗体とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体基板とその上に設けられた抵抗素子とを有する半導体装置であって、
前記抵抗素子は、
前記半導体基板の表面の上方に第1の絶縁膜を介して設けられた下層電極と、
前記下層電極の上方に前記下層電極と第2の絶縁膜を介して離間して設けられ、前記第2の絶縁膜上でさらに互いに離間して配置された二つの上層電極と、
前記第2の絶縁膜内に配置され、前記下層電極と前記二つの上層電極とに両端部が接続された二つの円筒形状の縦型抵抗体と、
からなることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/822
, H01L 27/04
, H01L 23/522
, H01L 21/768
H01L27/04 P
, H01L21/90 B
5F033JJ04
, 5F033JJ07
, 5F033JJ17
, 5F033JJ18
, 5F033JJ25
, 5F033JJ26
, 5F033JJ28
, 5F033JJ29
, 5F033NN33
, 5F033QQ37
, 5F033UU03
, 5F033VV09
, 5F033XX00
, 5F033XX04
, 5F038AR07
, 5F038AR08
, 5F038AR09
, 5F038AR14
, 5F038AR17
, 5F038AR26
, 5F038EZ20
