特許

J-GLOBAL ID：201303004487968378

半導体装置

発明者： 後藤 裕吾 ,  藤井 照幸
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-142589
公開番号（公開出願番号）：特開2013-251555
出願日： 2013年07月08日
公開日（公表日）： 2013年12月12日
要約：

【課題】薄型化及び小型化を達成しながら、外部ストレス、及び静電気放電に耐性を有する信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。また、作製工程においても外部ストレス、又は静電気放電に起因する形状や特性の不良を防ぎ、歩留まり良く半導体装置を作製することを目的の一とする。さらに低コストで生産性高く半導体装置を作製することを目的の一とする。【解決手段】半導体集積回路を囲いこむように覆う導電性遮蔽体により、半導体集積回路の静電気放電による静電気破壊(回路の誤動作や半導体素子の損傷)を防止する。導電性遮蔽体はめっき法により電気的に接続するように形成する。また、導電性遮蔽体の形成にめっき法を用いるために、低コストで生産性高く半導体装置を作製することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体集積回路を有し、 前記半導体集積回路の上方に、前記半導体集積回路と電気的に接続されたアンテナを有し、 前記アンテナの上方に、第1の絶縁体を有し、 前記半導体集積回路の下方に、第2の絶縁体を有し、 前記第1の絶縁体の上方に、第1の導電体を有し、 前記第2の絶縁体の下方に、第2の導電体を有し、 前記半導体集積回路は、トランジスタを有し、 前記トランジスタは、酸化物半導体を有し、 前記第2の導電体は、前記第1の導電体の膜厚よりも膜厚が厚い領域を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (13件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/786 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  G06K 19/077 ,  G06K 19/07

FI (9件)：

H01L27/04 H ,  H01L27/04 L ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 481 ,  H01L29/78 371 ,  H01L29/78 618B ,  H01L23/30 D ,  G06K19/00 K ,  G06K19/00 H

Fターム (140件)：

4M109AA04 ,  4M109CA26 ,  4M109DB14 ,  4M109EA02 ,  4M109EA07 ,  4M109EA20 ,  4M109EB18 ,  4M109EC03 ,  4M109EC04 ,  4M109EE01 ,  5B035AA07 ,  5B035BA03 ,  5B035BB09 ,  5B035CA02 ,  5B035CA08 ,  5B035CA23 ,  5B035CA36 ,  5F038AZ04 ,  5F038BH10 ,  5F038BH13 ,  5F038DF04 ,  5F038DF05 ,  5F038DF12 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F083EP02 ,  5F083EP17 ,  5F083EP27 ,  5F083ER21 ,  5F083GA11 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA06 ,  5F083JA33 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR12 ,  5F083PR15 ,  5F083PR33 ,  5F083PR43 ,  5F083PR53 ,  5F083ZA07 ,  5F101BA01 ,  5F101BA42 ,  5F101BA45 ,  5F101BB02 ,  5F101BB08 ,  5F101BD27 ,  5F101BD30 ,  5F101BE07 ,  5F101BH14 ,  5F101BH15 ,  5F101BH16 ,  5F101BH21 ,  5F110AA22 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110DD11 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE27 ,  5F110EE30 ,  5F110EE32 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF23 ,  5F110FF26 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL08 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN71 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 非接触ICカード封入体及び非接触ICカード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-102086   出願人：大日本印刷株式会社
• 半導体装置及び当該半導体装置を具備するIDラベル、IDタグ、IDカード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-058770   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-262010   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置及びその作製方法、並びに半導体装置の測定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-084606   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-138503   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-019143   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所