半導体メモリの動作制御方法および半導体メモリ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：古谷史旺 , 森俊秀
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-109901
公開番号（公開出願番号）：特開2002-304882
特許番号：特許第4712214号
出願日： 2001年04月09日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】書き込み動作時に、複数の第1メモリブロックのうち選択された該第1メモリブロックにデータを書き込むとともに、前記第1メモリブロックに記憶されたデータを再生するための再生データを第2メモリブロックに書き込み、読み出し動作時に、選択された前記第1メモリブロックから前記データを直接読み出す第1動作と、選択された前記第1メモリブロックを動作せず、非選択の第1メモリブロックに記憶された前記データおよび前記第2メモリブロックに記憶された前記再生データから前記データを再生する第2動作との少なくともいずれかを実行することで、前記データを読み出し、前記第1動作を実行中に、選択している前記第1メモリブロックの読み出し要求を受けたときに、前記第1動作の実行と並列して前記第2動作を開始することを特徴とする半導体メモリの動作制御方法。

IPC (2件)：

G11C 11/401 ( 200 6.01) , G06F 12/06 ( 200 6.01)

FI (3件)：

G11C 11/34 362 H , G11C 11/34 371 C , G06F 12/06 525 A

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平4-132093
特開平4-040697
特開平2-150000

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審査官引用 (6件)

特開平4-132093
特開平4-040697
特開平2-150000

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