特許
J-GLOBAL ID：200903098012091120

半導体記憶装置

発明者：
柳下 良昌

柳下 良昌 について

, 
内田 敏也

内田 敏也 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-096343
公開番号（公開出願番号）：特開2002-298578
出願日： 2001年03月29日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：
【要約】【課題】 リフレッシュ動作中であっても動作可能であり、かつ、低消費電力の半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 アドレス入力手段1は、アドレスの入力を受ける。読み出し手段5は、アドレス入力手段1を介して入力されたアドレスによって指定される列または行方向のサブブロック群3の少なくとも一部からデータを読み出す。リフレッシュ手段2は、読み出し手段5の読み出しの対象となるサブブロック群と直交する行または列方向のサブブロック群の少なくとも一部をリフレッシュする。データ復元手段4は、リフレッシュと読み出しの双方の対象となっているサブブロックからのデータを他のブロックおよびパリティブロックからのデータを参照して復元する。
請求項（抜粋）：
1または2以上のメモリセルから構成されるサブブロックがマトリクス状に配置されてなる半導体記憶装置において、アドレスの入力を受けるアドレス入力手段と、前記アドレス入力手段を介して入力されたアドレスによって指定される列または行方向のサブブロック群の少なくとも一部からデータを読み出す読み出し手段と、前記読み出し手段の読み出しの対象となるサブブロック群と直交する行または列方向のサブブロック群の少なくとも一部をリフレッシュするリフレッシュ手段と、を有することを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 11/406 ,  G11C 11/408 ,  G11C 11/401
FI (5件)：
G11C 11/34 363 K ,  G11C 11/34 354 B ,  G11C 11/34 362 H ,  G11C 11/34 363 F ,  G11C 11/34 371 K
Fターム (14件)：
5M024AA04 ,  5M024AA90 ,  5M024BB30 ,  5M024BB39 ,  5M024CC74 ,  5M024DD62 ,  5M024DD63 ,  5M024EE05 ,  5M024EE30 ,  5M024GG20 ,  5M024LL01 ,  5M024LL13 ,  5M024PP01 ,  5M024PP04
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特開平4-040697
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-368423   出願人：富士通株式会社
審査官引用 (5件)
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