特許
J-GLOBAL ID：201303006973335053
太陽電池及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (5件)：
前田 弘
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-306438
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189484
特許番号：特許第4801833号
出願日： 2000年10月05日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 CN基を含むi型シリコン層と、
前記i型シリコン層の上側に接して形成された第1導電型の上側半導体層と、
前記i型シリコン層の下側に接して形成された第2導電型の下側半導体層と、
前記上側半導体層の上に形成された上側導体電極と、
前記下側半導体層の下に形成された下側導体電極とを備え、
前記CN基は、前記i型シリコン層の内部に存在していることを特徴とする太陽電池。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 B
, H01L 31/04 A
