特許
J-GLOBAL ID：201303008321331300

酸化物半導体薄膜層を有する積層構造の製造方法

発明者：
江端 一晃

江端 一晃 について

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笘井 重和

笘井 重和 について

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霍間 勇輝

霍間 勇輝 について

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松崎 滋夫

松崎 滋夫 について

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矢野 公規

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出願人/特許権者：
出光興産株式会社

出光興産株式会社 について


代理人 (4件)： 渡辺 喜平 ,  田中 有子 ,  佐藤 猛 ,  森島 なるみ
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-011206
公開番号（公開出願番号）：特開2013-145885
特許番号：特許第5295439号
出願日： 2013年01月24日
公開日（公表日）： 2013年07月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】薄膜トランジスタのチャネル層となる酸化物層と絶縁層からなる積層構造の製造方法であって、 (1)絶縁層を設ける工程と (2)前記絶縁層上に、20×20μm2におけるRrms(root-mean-square-roughness)=1.0〜5.3Åの範囲となる様に、酸化インジウム、Gaをドープした酸化インジウム、Alをドープした酸化インジウム、Znをドープした酸化インジウム及びSnをドープした酸化インジウムからなる群から選ばれる材料からなる酸化物薄膜を成膜する工程と (3)得られた薄膜を150〜500°Cで加熱処理して前記酸化物層とする工程と を有し、 前記工程(2)の酸化物薄膜の成膜を、 真空チャンバー内に所定の間隔を置いて並設された3枚以上のターゲットに対向する位置に、基板を順次搬送し、前記各ターゲットに対して交流電源から負電位及び正電位を交互に印加する場合に、前記交流電源からの出力の少なくとも1つを、分岐して接続した2枚以上のターゲットの間で、電位を印加するターゲットの切替を行いながら、ターゲット上にプラズマを発生させて基板表面に成膜するスパッタリング方法で行うことを特徴とする積層構造の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 627 G
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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