特許
J-GLOBAL ID：201003072673195366

アモルファス酸化物半導体及び該アモルファス酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ

発明者：
林 享

林 享 について

, 
大村 秀之

大村 秀之 について

, 
雲見 日出也

雲見 日出也 について

, 
重里 有三

重里 有三 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-190168
公開番号（公開出願番号）：特開2010-080936
出願日： 2009年08月19日
公開日（公表日）： 2010年04月08日
要約：
【課題】 トランジスタ特性に優れたアモルファス酸化物薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 In又はZnの少なくとも一方の元素と水素とを含むアモルファス酸化物半導体であって、前記アモルファス酸化物半導体が1×1020cm-3以上1×1022cm-3以下の水素原子又は重水素原子を含有しており、かつ、前記アモルファス酸化物半導体中で、過剰な酸素(OEX)(ここで、該過剰な酸素とは、前記アモルファス酸化物半導体の一部分の数原子サイズを単位として見た際のミクロな領域において過剰な状態にある酸素である)と水素の結合(OEX-H結合及びH-OEX-H結合)を除く、酸素と水素の結合(O-H結合)の密度が1×1018cm-3以下であることを特徴とするアモルファス酸化物半導体。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
In又はZnの少なくとも一方の元素と水素とを含むアモルファス酸化物半導体であって、 前記アモルファス酸化物半導体が1×1020cm-3以上1×1022cm-3以下の水素原子又は重水素原子を含有しており、かつ、 前記アモルファス酸化物半導体中で、過剰な酸素(OEX)と水素の結合を除く、酸素と水素の結合の密度が1×1018cm-3以下であることを特徴とするアモルファス酸化物半導体。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50
FI (6件)：
H01L29/78 618F ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 627F ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A
Fターム (65件)：
2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB57 ,  2H092KA05 ,  2H092KA08 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA26 ,  2H092NA22 ,  2H092PA01 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107EE04 ,  3K107FF04 ,  3K107FF14 ,  3K107HH05 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN12 ,  5F110NN14 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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