半導体レーザ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：恩田博宣 , 恩田誠
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-359945
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164611
特許番号：特許第4710123号
出願日： 2000年11月27日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】活性層(2)が埋設された半導体基板(1)の上面に複数の上部電極(3a,3b)が離間して配置され、各上部電極(3a,3b)に接する半導体基板(1)での電流注入領域(Z1,Z2)が電気的に2つ以上に分離された半導体レーザであって、各電流注入領域(Z1,Z2)がそれぞれ光出射面(P)に垂直な方向である光の共振方向に連続した一連の領域からなって、かつ、各電流注入領域(Z1,Z2)を互いに分離するための非電流注入領域(Z10)の平面形状として、光出射面(P)において電流注入領域(Z1,Z2)を分離する幅(W)が10μ以下の非電流注入領域(Z10)が光の共振方向とは異なる方向に延びる形状をなすことを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2件)：