特許
J-GLOBAL ID：200903063240165969

半導体レ-ザ装置

発明者：
安部 克則

安部 克則 について

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松下 規由起

松下 規由起 について

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渥美 欣也

渥美 欣也 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-369838
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196181
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】 発光領域へのボンディングを行なわず、且つ電極膜を介した活性層への給電でもFFPが単峰性パターンとなるようにする。【解決手段】 レーザチップ12は、台座13上にダイボンディングされ、上面の第2の電極膜23の両側部23a,23bでボンディングワイヤ14a,14bとボンディングされている。レーザチップ12は、基板15上に活性層17を含んだ半導体層16〜19が積層形成され、その上面に、SiO2膜20,第1の電極膜21,SiO2膜22および第2の電極膜23が順次積層形成されている。SiO2膜20は、活性層17の発光領域17aに対応する部分がストライプ状に開口され、SiO2膜22は、その発光領域17aの中央部に対応する電流注入領域に対応する部分が開口されている。これにより、第2の電極膜23を介して給電する場合でも、発光領域17aの中央部から電流が注入され、水平方向のFFPを単峰性パターンにできる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に活性層を備え、少なくとも上面に活性層への電流供給用の電極を設ける構成の半導体レーザ装置において、前記活性層のうち少なくともストライプ状の発光領域に対応した領域の半導体層表面に形成される第1の電極膜と、この第1の電極膜上に形成され前記活性層の発光領域に対応する部分よりも狭いストライプ状の範囲を電流注入領域として開口した絶縁膜と、前記電流注入領域および前記絶縁膜上で少なくともボンディングに必要なボンディング領域を覆うように形成された第2の電極膜と、前記第2の電極膜の前記ボンディング領域にボンディングされたボンディングワイヤとを具備したことを特徴とする半導体レーザ装置。
Fターム (7件)：
5F073AA04 ,  5F073AA74 ,  5F073CA04 ,  5F073CB22 ,  5F073EA19 ,  5F073EA28 ,  5F073FA27
引用特許：
審査官引用 (4件)
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