特許
J-GLOBAL ID：201303010228098691
静電容量式タッチパネル及び該タッチパネルを備えた液晶表示装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河備 健二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-115508
公開番号（公開出願番号）：特開2013-175240
出願日： 2013年05月31日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
要約：
【課題】耐熱性の高い透明導電膜を適用することで、より低コストの、熱負荷の高い製造工程を採用した場合でも、位置検出に問題のない、高品位の表示が可能な静電容量式タッチパネル及び液晶表示装置を提供する。【解決手段】透明基板上に、少なくとも透明導電膜と、誘電体層とが積層されており、該基板額縁部に少なくとも位置検出用配線部並びに位置検出用電極からなる位置検出用部材が配置された構造を有する静電容量式タッチパネルであって、 前記透明導電膜は、酸化インジウムを主成分とし、ガリウムおよびスズを含む酸化物からなり、ガリウム含有量が、Ga/(In+Ga+Sn)原子数比で0.03〜0.10、かつスズの含有量が、Sn/(In+Ga+Sn)原子数比で0.05〜0.12であり、しかも、非晶質膜として成膜後、酸素存在雰囲気下、250〜550°Cでの加熱処理により結晶化し、その表面抵抗が、700〜2000Ω/□の範囲である静電容量式タッチパネルなどによって提供。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
透明基板上に、少なくとも透明導電膜と、誘電体層とが積層されており、該基板額縁部に少なくとも位置検出用配線部並びに位置検出用電極からなる位置検出用部材が配置された構造を有する静電容量式タッチパネルであって、
前記透明導電膜は、酸化インジウムを主成分とし、ガリウムおよびスズを含む酸化物からなり、ガリウム含有量が、Ga/(In+Ga+Sn)原子数比で0.03〜0.10、かつスズの含有量が、Sn/(In+Ga+Sn)原子数比で0.05〜0.12であり、しかも、非晶質膜として成膜後、酸素存在雰囲気下、250〜550°Cでの加熱処理により結晶化し、その表面抵抗が、700〜2000Ω/□の範囲であることを特徴とする静電容量式タッチパネル。
IPC (4件)：
G06F 3/044
, G06F 3/041
, B32B 9/00
, B32B 17/06
G06F3/044 E
, G06F3/041 350C
, G06F3/041 330D
, B32B9/00 A
, B32B17/06
4F100AA17B
, 4F100AA28B
, 4F100AA33B
, 4F100AG00A
, 4F100AT00A
, 4F100EJ41B
, 4F100JA11B
, 4F100JA12B
, 4F100JD01C
, 4F100JG01B
, 4F100JG04B
, 4F100JG05C
, 4F100JN01A
, 4F100JN01B
, 4F100YY00B
, 5B068AA22
, 5B068BB08
, 5B068BC08
, 5B068BC13
, 5B087CC02
, 5B087CC13
, 5B087CC14
, 5B087CC16
, 5B087CC39
