ゲート酸化物の漏れを抑えたリプレースメントゲートトランジスタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：早川裕司 , 佐野良太 , 村雨圭介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-013696
公開番号（公開出願番号）：特開2013-138213
出願日： 2013年01月28日
公開日（公表日）： 2013年07月11日
要約：

【課題】リーク電流を抑え、薄くしたEOTを備えるゲート酸化物を有するメタルゲートトランジスタの提供。【解決手段】ゲート酸化物層12とメタルゲート電極60との間に保護層70を形成することによって、リプレースメントゲートトランジスタに対してリーク電流を抑えた実効的なゲート酸化膜厚を得ることができ、これにより、応力を減らすことができる。実施形態においては、金属ゲート電極60から保護層を通じてゲート酸化物層12に向かうに従って濃度が低下する金属炭化物を含む非晶質炭素層70の保護層が形成される。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

基板(10)と、前記基板(10)上のゲート誘電層と、前記ゲート誘電層(10)上のメタルゲート電極(100)と、を含み、前記ゲート誘電層は、比誘電定数が4以上である酸化物(82)を含む酸化物層と、前記基板(10)と前記酸化物層の界面および前記メタルゲート電極(100)と前記酸化物層の界面において高濃度のシリコンを含むものであって、さらに、前記ゲート誘電層は、前記基板上にある第1多結晶シリコン層(81)と、前記酸化物層(81)上にあり、前記メタルゲート電極(100)に隣接している第2多結晶シリコン層(83)とを含み、前記酸化物層(82)は前記第1多結晶シリコン層(81)上にある、半導体デバイス。

IPC (5件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (4件)：

H01L29/78 301G , H01L21/28 B , H01L21/28 301R , H01L29/58 G

Fターム (66件)：

4M104AA01 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB21 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD03 , 4M104DD34 , 4M104DD43 , 4M104DD75 , 4M104DD79 , 4M104DD83 , 4M104DD84 , 4M104DD90 , 4M104EE03 , 4M104EE09 , 4M104EE12 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH16 , 5F140AA01 , 5F140AA08 , 5F140AA24 , 5F140AA39 , 5F140BD02 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BD15 , 5F140BD16 , 5F140BD17 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE14 , 5F140BE17 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BF16 , 5F140BG08 , 5F140BG11 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG24 , 5F140BG30 , 5F140BG36 , 5F140BG40 , 5F140BH14 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK34 , 5F140CC15 , 5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-363438 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-307144 出願人：株式会社半導体先端テクノロジーズ
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-395734 出願人：松下電器産業株式会社

前のページに戻る