特許

J-GLOBAL ID：200903091116898226

半導体装置及びその製造方法

発明者： 原田 佳尚
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-395734
公開番号（公開出願番号）：特開2003-008011
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】 高い比誘電率が確保されており且つ熱的に安定なゲート絶縁膜を用いた半導体装置を実現できるようにする。【解決手段】 シリコン基板10上にゲート絶縁膜11を介してゲート電極12が形成されている。ゲート絶縁膜11は、シリコン含有ハフニウムオキサイド膜よりなる高誘電率膜11aと、高誘電率膜11aの下側に形成されており、ハフニウムを含むシリコン窒化酸化膜よりなる下部バリア膜11bとを有する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備え、前記ゲート絶縁膜は、一の金属、酸素及びシリコンを含む高誘電率膜と、前記高誘電率膜の下側に形成されており、前記一の金属、酸素、シリコン及び窒素を含む下部バリア膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 P ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (35件)：

5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF06 ,  5F058BF12 ,  5F058BF22 ,  5F058BF27 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ04 ,  5F140AA19 ,  5F140BA01 ,  5F140BA20 ,  5F140BD02 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BD17 ,  5F140BE02 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF38 ,  5F140BG28 ,  5F140BG38 ,  5F140BG44 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• オキシ窒化ジルコニウム及び/又はハフニウム・ゲ-ト誘電体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-200829   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 珪酸塩高誘電率材料の真空蒸着
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-375450   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 半導体デバイスにメタル窒化物膜を統合するための方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-290804   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド