特許
J-GLOBAL ID:201303010466688219
回路、センサ回路及びセンサ回路を用いた半導体装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-004140
公開番号(公開出願番号):特開2013-168926
出願日: 2013年01月14日
公開日(公表日): 2013年08月29日
要約:
【課題】温度変化が生じても、得られる物理量の誤差を小さく抑えることができるセンサ回路の提供。【解決手段】センサと、上記センサから出力される信号の、所定の期間における電圧値または電流値を取得し、保持するサンプリング回路と、保持されている上記電圧値または電流値をアナログからデジタルに変換するアナログデジタル変換回路と、を有し、上記サンプリング回路は、上記電圧値または電流値を取得し、保持するためのスイッチを有し、上記スイッチは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むトランジスタを有する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
信号の、所定の期間における電圧値または電流値を取得し、保持するサンプリング回路と、保持されている前記電圧値または電流値をアナログからデジタルに変換するアナログデジタル変換回路と、を有し、
前記サンプリング回路は、前記電圧値または電流値を取得し、保持するためのスイッチを有し、
前記スイッチは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むトランジスタを有する回路。
IPC (5件):
H03K 17/687
, H03K 17/00
, H03M 1/06
, H03M 1/12
, H01L 29/786
FI (6件):
H03K17/687 G
, H03K17/00 D
, H03M1/06
, H03M1/12 A
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 613Z
Fターム (56件):
5F110AA06
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110BB03
, 5F110BB09
, 5F110CC01
, 5F110CC02
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110EE27
, 5F110EE28
, 5F110EE31
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG12
, 5F110GG13
, 5F110GG14
, 5F110GG15
, 5F110GG16
, 5F110GG17
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG35
, 5F110GG43
, 5F110NN03
, 5F110NN12
, 5F110NN71
, 5F110NN73
, 5F110NN78
, 5J022AA01
, 5J022BA01
, 5J022CA10
, 5J022CF07
, 5J022CF10
, 5J022CG01
, 5J055AX06
, 5J055AX15
, 5J055AX37
, 5J055BX17
, 5J055CX30
, 5J055DX13
, 5J055DX22
, 5J055DX52
, 5J055DX61
, 5J055EY10
, 5J055EY12
, 5J055EY21
, 5J055EZ03
, 5J055EZ09
, 5J055EZ12
, 5J055EZ24
, 5J055GX01
, 5J055GX02
, 5J055GX06
, 5J055GX07
引用特許:
審査官引用 (12件)
-
アクティブマトリクス液晶デバイス
公報種別:公表公報
出願番号:特願2008-557972
出願人:シャープ株式会社
-
表示装置、及びその駆動方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2010-087650
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2011-005534
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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