特許
J-GLOBAL ID：201303011229645870
共晶合金を用いたタンタル(Ta)粉末の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
辻居 幸一
, 熊倉 禎男
, 大塚 文昭
, 西島 孝喜
, 須田 洋之
, 上杉 浩
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-503702
公開番号（公開出願番号）：特表2013-528700
出願日： 2011年04月11日
公開日（公表日）： 2013年07月11日
要約：
本発明は、共晶合金を用いて使用済みタンタル(Ta)ターゲットでタンタル(Ta)粉末を製造する方法に関するものであり、 化学的又は物理的な方法を用いて使用済みタンタル(Ta)ターゲットの表面に残存した汚染物を取り除く段階と、汚染物が除去された使用済みタンタル(Ta)ターゲットと共晶反応元素を各々秤量して望ましい割合でプラズマ装置内部に装入する段階と、プラズマ装置内部を減圧して、反応ガスを投入し、電力を印加して低電力のプラズマを形成させてタンタル(Ta)共晶合金を製造する段階と、高電力プラズマを印加して超微細化したタンタル(Ta)共晶合金粉末を製造する段階と、製造されたタンタル(Ta)共晶合金粉末に熱処理をする段階と、熱処理されたタンタル(Ta)共晶合金粉末から共晶反応元素を化学的方法で取り除いて、高純度化及び超微細化したタンタル(Ta)粉末を製造する段階で構成されることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
使用済みタンタル(Ta)ターゲットを用いてタンタル(Ta)粉末を製造する方法であって、
化学的又は物理的な方法を用いて使用済みタンタル(Ta)ターゲットの表面に残存した汚染物を取り除く段階と、
汚染物が除去された使用済みタンタル(Ta)ターゲットと共晶反応元素を各々秤量して、望ましい割合でプラズマ装置内部に装入する段階と、
プラズマ装置内部を減圧して、反応ガスを投入し、電力を印加して低電力のプラズマを形成させてタンタル(Ta)共晶合金を製造する段階と、
高電力プラズマを印加して超微細化したタンタル(Ta)共晶合金粉末を製造する段階と、
製造されたタンタル(Ta)共晶合金粉末に混入されたカーボン及び酸素の除去のために熱処理をする段階と、
熱処理されたタンタル(Ta)共晶合金粉末から共晶反応元素を取り除いて、高純度及び微細なタンタル(Ta)粉末を製造する段階と
を含むことを特徴とする共晶合金を用いたタンタル(Ta)粉末の製造方法。
IPC (4件)：
B22F 9/02
, C22B 34/24
, C22B 1/00
, C22B 7/00
B22F9/02 Z
, C22B34/24
, C22B1/00 601
, C22B7/00 A
4K001AA02
, 4K001AA09
, 4K001AA10
, 4K001AA19
, 4K001AA25
, 4K001BA22
, 4K001EA13
, 4K001FA12
, 4K001HA09
, 4K017AA02
, 4K017BA07
, 4K017BB01
, 4K017BB05
, 4K017BB06
, 4K017CA07
, 4K017CA08
, 4K017EF01
, 4K017EG01
