特許

J-GLOBAL ID：201303011408288355

半導体装置及びその製造方法

発明者： 三田 清志 ,  梅谷 祐二 ,  奥津 俊哉
出願人/特許権者： セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー
代理人 (2件)： 須藤 克彦 ,  鎌田 康秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-252411
公開番号（公開出願番号）：特開2013-110188
出願日： 2011年11月18日
公開日（公表日）： 2013年06月06日
要約：

【課題】導電箔とその保護膜が形成された絶縁基材に対して平行に半導体チップを固着し、熱膨張による応力を起因とした半導体装置の損傷の防止を図る。【解決手段】絶縁基材11の表面上に導電箔12が配置され、導電箔12を覆って、その一部を露出する複数の第1の開口部17A、及び複数の第2の開口部17Bを有する保護膜17が配置されている。各第1の開口部17Aで露出する導電箔12の表面上に導電突起体14が配置される。表面に複数のパッド電極12を有した半導体チップ20は、その裏面が複数の導電突起体14と対向するように、ダイボンドペースト15を介して保護膜17上に固着される。各第2の開口部17Bで露出する導電箔12は、それぞれボンディングワイヤを介してパッド電極21と接続される。絶縁基材11の表面上の半導体チップ20等は、封止材16に覆われて封止される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

絶縁基材と、 前記絶縁基材の表面上に配線パターンとして配置された導電箔と、 前記導電箔の一部を露出する複数の第1の開口部、及び複数の第2の開口部を有し、前記導電箔を含む前記絶縁基材の表面を覆う保護膜と、 前記複数の第1の開口部で露出する前記導電箔の表面上に配置された複数の導電突起体と、 表面に複数のパッド電極を有し、裏面が前記複数の導電突起体と対向して直接接するように、ダイボンドペーストを介して前記保護膜上に固着された半導体チップと、 前記複数の第2の開口部で露出する前記導電箔と前記複数のパッド電極をそれぞれ接続する複数のボンディングワイヤと、 前記絶縁基材の表面上の前記導電箔、前記保護膜、前記半導体チップ、前記複数のボンディングワイヤを覆って封止する封止材と、を備え、 前記複数の第1の開口部において、前記導電箔と前記導電突起体からなる積層体は、前記半導体チップを前記絶縁基材の表面に対して平行に支持する高さを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/52 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/60

FI (3件)：

H01L21/52 A ,  H01L23/12 F ,  H01L21/92 604J

Fターム (6件)：

5F047AA17 ,  5F047AB06 ,  5F047BA21 ,  5F047BB11 ,  5F047BC06 ,  5F047BC31

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 配線基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-328180   出願人：京セラSLCテクノロジー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-219278   出願人：富士通マイクロエレクトロニクス株式会社