特許
J-GLOBAL ID：200903064685826937

半導体装置及びその製造方法

発明者：
西村 隆雄

西村 隆雄 について


出願人/特許権者：
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-219278
公開番号（公開出願番号）：特開2009-054747
出願日： 2007年08月27日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：
【課題】積層配置される半導体素子に於ける突出部に対して、ワイヤボンディング時に生じる撓みを抑制するとともに、半導体装置として大形化を招くことのない支持部材を有する、半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】上記の課題を解決するため、本発明によって提供される半導体装置は、電極端子が配設された支持基体と、支持基体上に搭載された中間部材と、一部が中間部材により支持されて、支持基体上に配設された半導体素子と、半導体素子の電極端子に対応して、支持基体上あるいは前記中間部材上に配設された凸状部材とを具備し、半導体素子の電極端子と前記支持基体上の電極端子が、ボンディングワイヤにより接続されてなることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電極端子が配設された支持基体と、 前記支持基体上に搭載された中間部材と、 一部が前記中間部材により支持されて、前記支持基体上に配設された半導体素子と、 前記半導体素子の電極端子に対応して、前記支持基体上あるいは前記中間部材上に配設された凸状部材と を具備し、 前記半導体素子の電極端子と前記支持基体上の電極端子が、ボンディングワイヤにより接続されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/28 ,  H01L 21/60
FI (6件)：
H01L25/08 B ,  H01L23/12 F ,  H01L23/12 501B ,  H01L23/12 501W ,  H01L23/28 Z ,  H01L21/60 301A
Fターム (12件)：
4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109DB17 ,  5F044AA02 ,  5F044CC07 ,  5F044JJ03 ,  5F044KK08 ,  5F044QQ01 ,  5F044RR03 ,  5F044RR08 ,  5F044RR18 ,  5F044RR19
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-138771   出願人：セイコーエプソン株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-002747   出願人：松下電器産業株式会社
審査官引用 (2件)

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