特許

J-GLOBAL ID：201303012314433650

電力半導体モジュール

発明者： クーノ ヴォルフ ,  ゲルハルト ケレ ,  ユルゲン ツァレンバ ,  ヴォルフガング ヤーコプ ,  アレクサンダー ヴァルラウホ ,  クリストフ ルーフ ,  ラルフ シュミート ,  ペーター ウルバッハ ,  ベルント ビレコーフェン ,  ハンス-ライナー クラウス ,  ディルク ショルツ
出願人/特許権者： ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
代理人 (3件)： 矢野 敏雄 ,  久野 琢也 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-530117
特許番号：特許第4886137号
出願日： 2000年10月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 複数の層の形で相互に重なって配置されたキャリアサブストレート(1,2,3)からなる積層体を有し、前記のキャリアサブストレート(1,2,3)は少なくとも1つの主表面に少なくとも1つの条導体(31〜36)を備えており、その際、積層体の隣り合う2つのキャリアサブストレートの間に少なくとも1つの電子的半導体構成素子(40〜47)が配置されており、前記の半導体構成素子は積層体中で半導体構成素子の上方に配置されたキャリアサブストレートの少なくとも1つの条導体(31〜36)と電気的並びに伝熱性に接続しておりかつ積層体中で半導体構成素子の下方に配置されたキャリアサブストレートの少なくとも1つの他の条導体(31〜36)と電気的並びに伝熱性に接続されていて、積層体の両方の外側のキャリアサブストレート(1,3)が、少なくとも1つの半導体構成素子(40〜47)を密閉して取り囲むケーシング部材の上方のケーシング壁及び下方のケーシング壁を形成し、その際、半導体構成素子から生じる熱は少なくとも部分的に外側のキャリアサブストレート(1,3)により形成される上方及び下方のケーシング壁へ放出され、そこからケーシング部材の周囲に放出され、かつ積層されたキャリアサブストレート間の中空室(4,5)はキャリアサブストレートに固定された取り囲む壁部(70,80,100)により密閉されていて、コンタクト部材(51〜56)が設けられており、前記コンタクト部材(51〜56)はキャリアサブストレート(1〜3)上に配置されたそれぞれ1つの条導体(31〜36)と電気的に接続されており、かつキャリアサブストレート(1〜3)間の中空室(4,5)から横側に突き出ており、さらに取り囲む壁部(70,80,100)を貫いてケーシング部材から外方へ延びている電力半導体モジュールにおいて、取り囲む壁部(70,80,100)中にコンタクト部材(51〜56)用の絶縁ブシュ(59)が配置されていることを特徴とする電力半導体モジュール。

IPC (2件)：

H01L 25/07 ( 200 6.01) ,  H01L 25/18 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 25/04 C

引用特許：

出願人引用 (4件)

• パワーデバイスチップの実装構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-160761   出願人：日産自動車株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-212325   出願人：株式会社デンソー
• 特開昭60-094742
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-343267   出願人：芝府エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• パワーデバイスチップの実装構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-160761   出願人：日産自動車株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-212325   出願人：株式会社デンソー
• 特開昭60-094742
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-343267   出願人：芝府エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝