特許

J-GLOBAL ID：201303012938472250

微細パターン形成用組成物およびそれを用いた微細化されたパターン形成方法

発明者： 岡 村 聡 也 ,  ゲオルク、ポロウスキー ,  石 井 雅 弘
出願人/特許権者： AZエレクトロニックマテリアルズIP株式会社
代理人 (4件)： 勝沼 宏仁 ,  中村 行孝 ,  横田 修孝 ,  伊藤 武泰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-155822
公開番号（公開出願番号）：特開2013-020211
出願日： 2011年07月14日
公開日（公表日）： 2013年01月31日
要約：

【課題】高いエッチング耐性を有するレジストパターンを形成させることのできる微細パターン形成用組成物、およびそれを用いたレジストパターンの形成方法の提供。【解決手段】側鎖に芳香族含有置換基を有する水溶性樹脂と純水とを含む微細パターン形成用組成物。この組成物は、水溶性樹脂に結合した酸基を含むか、または組成物中に遊離の酸を含んでいる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

純水と、下記一般式(1)で表される水溶性樹脂: -Xp-Yq-Zr- (1) (式中、

IPC (4件)：

G03F 7/40 ,  H01L 21/027 ,  C08F 226/02 ,  C08F 222/40

FI (4件)：

G03F7/40 511 ,  H01L21/30 502R ,  C08F226/02 ,  C08F222/40

Fターム (23件)：

2H096HA02 ,  2H096HA05 ,  4J100AM43R ,  4J100AN03P ,  4J100AN04Q ,  4J100AN14Q ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04Q ,  4J100BA16Q ,  4J100BA20Q ,  4J100BA31Q ,  4J100BA34Q ,  4J100BB07Q ,  4J100BB18Q ,  4J100BC43Q ,  4J100BC65Q ,  4J100BC74Q ,  4J100BC80Q ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA38 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体素子の製造用のマスクパターンとその形成方法、及び微細パターンを有する半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-111234   出願人：三星電子株式会社
• 重合体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-082967   出願人：JSR株式会社
• フォトレジストパターンを被覆するための組成物
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-538545   出願人：エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション
• 微細パターン形成用樹脂組成物および微細パターン形成方法、ならびに重合体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-177537   出願人：JSR株式会社