特許

J-GLOBAL ID：201103003561759467

微細パターン形成用樹脂組成物および微細パターン形成方法、ならびに重合体

発明者： 藤原 考一 ,  若松 剛史 ,  庵野 祐亮 ,  伊藤 亘史
出願人/特許権者： JSR株式会社
代理人 (1件)： 和気 操
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-177537
公開番号（公開出願番号）：特開2011-033679
出願日： 2009年07月30日
公開日（公表日）： 2011年02月17日
要約：

【課題】熱処理により、レジストパターンを円滑に収縮させることができると共に、その後のアルカリ水溶液処理により容易に除去し得る。【解決手段】樹脂と、この樹脂を架橋させる架橋剤と、溶媒とを含み、レジストパターンを微細化するための微細パターン形成用樹脂組成物であり、樹脂が式(1)で表される繰り返し単位(I)と、式(2)で表される繰り返し単位(II)とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

樹脂と、この樹脂を架橋させる架橋剤と、溶媒とを含み、基板上に形成されているレジストパターンを微細化するための微細パターン形成用樹脂組成物であって、 前記樹脂が、フェノール類に由来する水酸基を側鎖に有する繰り返し単位(I)と、シリコン原子を含む基を側鎖に有する繰り返し単位(II)とを含むことを特徴とする微細パターン形成用樹脂組成物。

IPC (6件)：

G03F 7/40 ,  H01L 21/027 ,  C08F 212/14 ,  C08F 220/26 ,  C08F 220/22 ,  C08F 222/38

FI (6件)：

G03F7/40 511 ,  H01L21/30 502R ,  C08F212/14 ,  C08F220/26 ,  C08F220/22 ,  C08F222/38

Fターム (14件)：

2H096AA25 ,  2H096HA05 ,  4J100AB07R ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AM21P ,  4J100BA03P ,  4J100BA03R ,  4J100BA04R ,  4J100BA72P ,  4J100BA75Q ,  4J100BA80Q ,  4J100BB18R ,  4J100BC43P

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 層間絶縁膜用感光性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-307588   出願人：東京応化工業株式会社
• フォトレジスト下層膜形成材料およびパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-402332   出願人：信越化学工業株式会社
• 重合体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-082967   出願人：JSR株式会社
• パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-397569   出願人：東京応化工業株式会社