特許
J-GLOBAL ID：201303013247553722

半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム

発明者：
▲ひろせ▼ 義朗

▲ひろせ▼ 義朗 について

, 
笹島 亮太

笹島 亮太 について

, 
中村 吉延

中村 吉延 について

, 
山本 隆治

山本 隆治 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-030452
公開番号（公開出願番号）：特開2013-225660
出願日： 2013年02月19日
公開日（公表日）： 2013年10月31日
要約：
【課題】 薄膜中に含まれる酸素、窒素、炭素等の濃度を低下させることなく反応ガスの総供給量を低減させる。 【解決手段】 処理室内の基板に対して原料ガスを供給する工程と、処理室内の基板に対して反応ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで基板上に薄膜を形成する工程を有し、原料ガスを供給する工程および反応ガスを供給する工程のうち少なくともいずれかの工程では、処理室内の圧力が所定の圧力となるまで、処理室内の排気を停止した状態で、原料ガスおよび反応ガスのうちその工程で使用するガスを第1の流量にて供給する第1供給工程と、処理室内の圧力が所定の圧力となった後、処理室内の圧力を所定の圧力に維持しつつ、処理室内の排気を実施した状態で、原料ガスおよび反応ガスのうちその工程で使用するガスを第1の流量よりも小さい第2の流量にて供給する第2供給工程と、を行う。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
処理室内の基板に対して原料ガスを供給する工程と、 前記処理室内の前記基板に対して反応ガスを供給する工程と、 を含むサイクルを所定回数行うことで前記基板上に薄膜を形成する工程を有し、 前記原料ガスを供給する工程および前記反応ガスを供給する工程のうち少なくともいずれかの工程では、 前記処理室内の圧力が所定の圧力となるまで、前記処理室内の排気を停止した状態で、前記原料ガスおよび前記反応ガスのうちその工程で使用するガスを第1の流量にて供給する第1供給工程と、 前記処理室内の圧力が前記所定の圧力となった後、前記処理室内の圧力を前記所定の圧力に維持しつつ、前記処理室内の排気を実施した状態で、前記原料ガスおよび前記反応ガスのうちその工程で使用するガスを前記第1の流量よりも小さい第2の流量にて供給する第2供給工程と、 を行う半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/318 ,  H01L 21/31
FI (3件)：
H01L21/318 C ,  H01L21/31 B ,  H01L21/318 Z
Fターム (24件)：
5F045AA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AB34 ,  5F045AC02 ,  5F045AC07 ,  5F045BB08 ,  5F045DP19 ,  5F045EE17 ,  5F045EE18 ,  5F045EE19 ,  5F045GB06 ,  5F058BA06 ,  5F058BA09 ,  5F058BA20 ,  5F058BC12 ,  5F058BF04 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG03 ,  5F058BG04 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (10件)
全件表示
審査官引用 (10件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM