半導体ナノ粒子及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人アイテック国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-533281
特許番号：特許第5162742号
出願日： 2006年08月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】Agの塩とInの塩と硫黄を配位元素とする配位子とを混合することにより錯体とし、該錯体を100〜300°Cの範囲で設定された温度で加熱することにより熱処理物とし、該熱処理物を炭素数4〜20の炭化水素を有するアルキルアミン又はアルケニルアミンと共に100〜300°Cの範囲で設定された温度で加熱することにより得られる、常温で発光する平均粒径20nm以下の半導体ナノ粒子。

IPC (2件)：