特許
J-GLOBAL ID:201303014143858943

導電性部材、プロセスカートリッジおよび電子写真装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-284452
公開番号(公開出願番号):特開2013-134368
出願日: 2011年12月26日
公開日(公表日): 2013年07月08日
要約:
【課題】導電性ローラのH/H環境下における過度な低抵抗化を抑制すると同時に、L/L環境下における電気抵抗値を低減する。【解決手段】導電性の軸芯体と、その外周に設けられた導電層を有する電子写真用導電性部材であって、該導電層は、分子内にアルキレンオキサイド構造及びイオン交換基としてスルホ基もしくは四級アンモニウム基を有するバインダー樹脂と、該イオン交換基の極性とは逆極性のイオンとを含み、該導電層の温度30°C、相対湿度80%の環境における含水率が10質量%以下であり、かつ、該導電層の温度15°C、相対湿度10%の環境における、パルスNMR測定による求められる水素核を測定核としたスピン-スピン緩和時間T2が200μsec以上、であることを特徴とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
導電性の軸芯体と、その外周に設けられた導電層を有する電子写真用導電性部材であって、該導電層は、分子内にアルキレンオキサイド構造及びイオン交換基としてスルホ基もしくは四級アンモニウム基を有するバインダー樹脂と、該イオン交換基の極性とは逆極性のイオンとを含み、該導電層の温度30°C、相対湿度80%の環境における含水率が10質量%以下であり、かつ、該導電層の温度15°C、相対湿度10%の環境における、パルスNMR測定により求められる水素核を測定核としたスピン-スピン緩和時間T2が200μsec以上、であることを特徴とする導電性部材。
IPC (7件):
G03G 15/02 ,  G03G 15/16 ,  G03G 15/08 ,  G03G 15/00 ,  C08G 59/20 ,  C08G 18/48 ,  C08G 63/66
FI (7件):
G03G15/02 101 ,  G03G15/16 ,  G03G15/08 501D ,  G03G15/00 550 ,  C08G59/20 ,  C08G18/48 Z ,  C08G63/66
Fターム (122件):
2H077AB03 ,  2H077AC04 ,  2H077AD06 ,  2H077AD13 ,  2H077AD35 ,  2H077FA13 ,  2H077FA22 ,  2H077FA25 ,  2H077GA02 ,  2H077GA03 ,  2H171FA02 ,  2H171FA26 ,  2H171FA27 ,  2H171FA30 ,  2H171GA24 ,  2H171GA25 ,  2H171JA23 ,  2H171JA27 ,  2H171JA29 ,  2H171JA31 ,  2H171QA03 ,  2H171QA04 ,  2H171QA08 ,  2H171QA24 ,  2H171QB03 ,  2H171QB07 ,  2H171QB32 ,  2H171QB41 ,  2H171QC03 ,  2H171QC14 ,  2H171QC22 ,  2H171SA14 ,  2H171UA03 ,  2H171UA06 ,  2H171UA07 ,  2H171UA10 ,  2H171UA12 ,  2H171UA22 ,  2H171VA02 ,  2H171VA04 ,  2H171VA06 ,  2H171XA02 ,  2H200FA01 ,  2H200FA02 ,  2H200GA12 ,  2H200GA23 ,  2H200GA47 ,  2H200GA56 ,  2H200GB12 ,  2H200GB25 ,  2H200HA02 ,  2H200HB12 ,  2H200HB43 ,  2H200HB45 ,  2H200HB46 ,  2H200HB47 ,  2H200JA02 ,  2H200JA23 ,  2H200JA25 ,  2H200JA26 ,  2H200JA27 ,  2H200JC03 ,  2H200LC03 ,  2H200LC04 ,  2H200LC09 ,  2H200MA03 ,  2H200MA04 ,  2H200MA11 ,  2H200MA13 ,  2H200MA14 ,  2H200MA17 ,  2H200MA20 ,  2H200MB01 ,  2H200MB04 ,  2H200MC01 ,  4J029AA01 ,  4J029AB07 ,  4J029AC02 ,  4J029AE18 ,  4J029BF25 ,  4J029FA17 ,  4J029FA18 ,  4J029FC35 ,  4J029HA01 ,  4J029HB06 ,  4J029JE18 ,  4J034BA08 ,  4J034CA02 ,  4J034CA19 ,  4J034CA31 ,  4J034CB01 ,  4J034DA01 ,  4J034DA03 ,  4J034DB04 ,  4J034DB07 ,  4J034DC50 ,  4J034DG03 ,  4J034DG06 ,  4J034DG08 ,  4J034DG23 ,  4J034DM01 ,  4J034DM06 ,  4J034HA01 ,  4J034HA07 ,  4J034HC12 ,  4J034HC64 ,  4J034HC67 ,  4J034HC71 ,  4J034QB06 ,  4J034QB07 ,  4J034RA05 ,  4J034RA16 ,  4J036AB10 ,  4J036AK08 ,  4J036DC03 ,  4J036DC06 ,  4J036DC14 ,  4J036DD02 ,  4J036FA11 ,  4J036FB12 ,  4J036FB16 ,  4J036JA15
引用特許:
出願人引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る