特許
J-GLOBAL ID：201303015070365974
半導体装置の作製方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-134057
公開番号（公開出願番号）：特開2001-320053
特許番号：特許第4712155号
出願日： 2000年05月02日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にTa、Ti、Wから選ばれた一つの元素の窒化物を含む第一の層を形成し、
前記第一の層上にTa、Ti、Wから選ばれた一つの元素から成り、且つ、酸素を含むエッチングガスを用いたエッチング処理において前記第一の層よりエッチングレートが高い第二の層を形成し、
前記第二の層上にレジスト層を形成し、
前記レジスト層をマスクとして、酸素を含むエッチングガスを用いて第1のエッチング処理を行い、前記第一の層と前記第二の層をエッチングし、
第2のエッチング処理を行い、前記第一の層と前記第二の層をエッチングし、
前記半導体層に第1の一導電型の不純物元素の添加をし、
第3のエッチング処理を行い、前記第一の層と前記第二の層をエッチングし、
酸素を含むエッチングガスを用いて第4のエッチング処理を行い、前記第一の層と前記第二の層をエッチングし、
前記半導体層に第2の一導電型の不純物元素の添加をし、
前記半導体層は、前記第二の層と重なるチャネル形成領域と、
前記第2の一導電型の不純物元素の添加により形成された前記第一の層と重なり、前記第二の層と重ならない前記チャネル形成領域を挟む一対の第一の不純物領域と、
前記第2の一導電型の不純物元素の添加により形成された前記第一の層と重ならない、前記第一の不純物領域より前記不純物元素の濃度が高い、前記チャネル形成領域と前記第一の不純物領域とを挟む一対の第二の不純物領域と、
前記第1の一導電型の不純物元素の添加により形成された前記第一の層と重ならない、前記第二の不純物領域より前記不純物元素の濃度が高い、前記チャネル形成領域と前記第一の不純物領域と前記第二の不純物領域とを挟む一対の第三の不純物領域と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (2件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 617 K
, H01L 29/78 617 L
, H01L 29/78 617 M
