特許
J-GLOBAL ID：201303016049305763
光半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
光石 俊郎
, 田中 康幸
, 松元 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-088046
公開番号（公開出願番号）：特開2013-165288
出願日： 2013年04月19日
公開日（公表日）： 2013年08月22日
要約：
【課題】半導体レーザ部や電界吸収型光変調器部の活性層のΔECを大きくしてこれらの性能向上を図ることができ、適切な活性層パラメータを用いることで変調器の性能を大幅に向上させることにより、25〜85°Cの範囲においてテレコミュニケーション用やデータ通信用の高速変調器集積光源としても利用できる光半導体装置を提供する。【解決手段】基板1上に半導体レーザ部10と電界吸収型光変調器部30とパッシブ層20とが形成された光半導体装置において、基板の半導体混晶はInP、半導体レーザ部の活性部の量子井戸層及びバリア層をIn1-x-yAlxGayAs、回折格子形成層をIn1-xGaxAsyP1-y、電界吸収型光変調器部の活性部の量子井戸層及びバリア層をIn1-x-yAlxGayAsとし、電界吸収型光変調器部の活性部は量子井戸数を2〜20、量子井戸層の歪量を0%より大きく1%以下(プラスは引張歪)、バリア層のバンドギャップ波長を0.9〜1.05μmとする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体混晶からなる基板上に、量子井戸層、バリア層及び回折格子形成層を含む多重量子井戸構造の活性部とこの活性部の上下に設けられたクラッド部とを有する半導体レーザ部と、量子井戸層、バリア層及び光閉じ込め層を含む多重量子井戸構造の活性部とこの活性部の上下に設けられたクラッド部とを有する電界吸収型光変調器部と、活性部とこの活性部の上下に設けられたクラッド部とを有し、前記半導体レーザ部と前記電界吸収型光変調器部との間に介設されて前記半導体レーザ部と前記電界吸収型光変調器部とにバットジョイント結合され、且つ、前記半導体レーザ部と前記電界吸収型光変調器部を電気的に絶縁するパッシブ層とが形成された構成の光半導体装置であって、
前記基板の半導体混晶はInP、前記半導体レーザ部の活性部の量子井戸層及びバリア層はIn1-x-yAlxGayAs、回折格子形成層はIn1-xGaxAsyP1-y、前記電界吸収型光変調器部の活性部の量子井戸層及びバリア層はIn1-x-yAlxGayAsであり、
前記電界吸収型光変調器部の活性部は、量子井戸数が2〜20、量子井戸層の歪量が0%より大きく1%以下(プラスは引張歪)、バリア層のバンドギャップ波長が0.9〜1.05μmであり、
前記パッシブ層の活性部は、バンドギャップ波長が1.1〜1.2μmのIn1-xGaxAsyP1-yバルクであることを特徴とする光半導体装置。
IPC (3件)：
H01S 5/026
, H01S 5/343
, G02F 1/017
H01S5/026 616
, H01S5/343
, H01S5/026 618
, G02F1/017 503
2K102AA20
, 2K102BA02
, 2K102BB01
, 2K102BC04
, 2K102BD01
, 2K102CA10
, 2K102CA11
, 2K102DA05
, 2K102DA08
, 2K102DA11
, 2K102DD03
, 2K102EA02
, 2K102EB20
, 2K102EB28
, 5F173AA08
, 5F173AA27
, 5F173AA47
, 5F173AB03
, 5F173AD16
, 5F173AD22
, 5F173AF04
, 5F173AH14
, 5F173AP32
, 5F173AR25
, 5F173AR75
