特許
J-GLOBAL ID：200903053162357443
半導体光集積素子及びその作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
光石 俊郎
, 田中 康幸
, 松元 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-265805
公開番号（公開出願番号）：特開2009-094410
出願日： 2007年10月11日
公開日（公表日）： 2009年04月30日
要約：
【課題】Al系半導体材料の酸化とサイドエッチの影響の小さい半導体光集積素子を、簡便な作製プロセスで提供する。【解決手段】同一の基板10上に、Al系半導体材料からなる活性層13を備えるレーザ部1の光導波路とAl系半導体材料からなる変調器層18を備える変調器部2の光導波路とをモノリシック集積した半導体光集積素子において、活性層13及び変調器層18の下層側に、非Al系半導体材料からなる共通光導波路層11を設けると共に、共通光導波路層11の上層側、かつ、レーザ部1の光導波路と変調器部2の光導波路との間に、非Al系半導体材料からなる結合部3を設け、結合部3の光導波路のリッジ幅Wcを、レーザ部1の光導波路、変調器部2の光導波路のリッジ幅WA、WBより大きくする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
同一の半導体基板上に、Alを含む半導体材料からなる活性層を備えるレーザ部光導波路とAlを含む半導体材料からなる変調器層を備える変調器部光導波路とをモノリシック集積した半導体光集積素子において、
前記活性層及び前記変調器層の上層側又は下層側に、Alを含まない半導体材料からなる共通光導波路層を設けると共に、
前記共通光導波路層の上層側、かつ、前記レーザ部光導波路と前記変調器部光導波路との間に、Alを含まない半導体材料からなる結合部光導波路を設け、
前記結合部光導波路のリッジ幅を、前記レーザ部光導波路及び前記変調器部光導波路のリッジ幅より大きくすることを特徴とする半導体光集積素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S5/026 616
, H01S5/22 610
5F173AA08
, 5F173AD12
, 5F173AD16
, 5F173AF12
, 5F173AF15
, 5F173AF98
, 5F173AH03
, 5F173AP05
, 5F173AP32
, 5F173AP33
, 5F173AP37
, 5F173AP73
, 5F173AR94
