特許
J-GLOBAL ID：200903028102385346
半導体光変調装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-105932
公開番号（公開出願番号）：特開2007-279406
出願日： 2006年04月07日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：
【課題】従来のEA/DFBレーザはEA部、DFB部それぞれの動作波長の温度依存性が大きく異なるため、安定動作できる温度範囲が狭い。このため、前記EA/DFBレーザを発光装置とする場合、アンクールド動作は不可能であった。温度調整機構が不要なEA/DFBレーザを提案すること。【解決手段】EA変調器の光吸収層に、井戸層がInGaAlAsあるいはInGaAsPあるいはInGaAsのいずれからなり,障壁層がInGaAlAs,あるいはInAlAsのいずれからなる量子井戸構造を用い、かつ25°Cにおける離調量および光吸収層に用いる量子井戸構造における障壁層の組成波長を適切に設定することで、-5°Cから85°Cの広い温度範囲にわたり、挿入損の抑制、消光比の確保、およびチャーピングの抑制を同時に実現する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
信号光波長λsignalが25°Cにおいて1550nmの半導体レーザと、該レーザの出力光を加えられる、井戸層がInGaAlAsあるいはInGaAsPあるいはInGaAsのいずれかであり,障壁層がInGaAlAs,あるいはInAlAsのいずれかである量子井戸構造からなる利得ピーク波長λEAの電界吸収効果型光変調器とを有する半導体光集積素子において、前記レーザの25°Cにおける信号光波長λsignalに相当するエネルギーEsignalと、前記電界吸収効果型光変調器の25°Cにおける利得ピーク波長λEAに相当するエネルギーEEAとの差(EEA-Esignal)が、40meV以上70meV以下であることを特徴とする半導体光集積素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G02F1/025
, H01S5/026 616
2H079AA02
, 2H079AA13
, 2H079BA01
, 2H079CA04
, 2H079DA16
, 2H079DA22
, 2H079DA25
, 2H079EA03
, 2H079EB04
, 2H079FA01
, 2H079HA11
, 2H079KA01
, 2H079KA11
, 2H079KA18
, 5F173AA05
, 5F173AB14
, 5F173AD12
, 5F173AD14
, 5F173AF97
, 5F173AH14
, 5F173AH30
, 5F173AK21
, 5F173AP05
, 5F173AR04
, 5F173AR06
, 5F173AR33
, 5F173AR37
, 5F173AR99
