特許
J-GLOBAL ID：201303016329268553
エピタキシャル基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-022492
公開番号（公開出願番号）：特開2013-128135
出願日： 2013年02月07日
公開日（公表日）： 2013年06月27日
要約：
【課題】ウルツ鉱構造の化合物半導体を用いてノーマリ・オフの化合物半導体電子デバイスを提供する。【解決手段】キャリア走行半導体層15はスペーサ半導体層17と支持体13との間に位置する。電子デバイス11では、基準軸Cxに対して傾斜した基準平面R2に沿ってヘテロ接合が延びるので、ピエゾ電界Pzも基準平面R2に対して傾斜した方向に向く。ピエゾ電界の平行な成分Pz(T)はヘテロ接合21に沿って延在する内部電界として働く。この内部電界はヘテロ接合21の二次元キャリアに作用して、ゲート電極19直下のヘテロ接合におけるキャリア濃度が調整される。内部電界の働きにより、ゲート電極19にゼロボルトが印加されているとき、二次元キャリアは、ゲート電極19直下のヘテロ接合21のバンドの屈曲部に実質的に蓄積されない。電子デバイス11はノーマリ・オフ特性を有する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
ウルツ鉱構造の第1の化合物からなり、該ウルツ鉱構造のc軸方向に延びる基準軸に直交する第1の基準平面に対して傾斜する半極性主面を有する支持体と、
ウルツ鉱構造の第2の化合物からなり、前記支持体上に設けられたキャリア走行半導体層と、
ウルツ鉱構造の第3の化合物からなり、前記キャリア走行半導体層にヘテロ接合を成すスペーサ半導体層と、
前記支持体上に設けられ、前記ヘテロ接合におけるキャリア濃度を制御するゲート電極と、
前記支持体上に設けられたソース電極及びドレイン電極の一方である第1の電極と、
を備え、
前記基準軸は、前記半極性主面の法線に対して所定の方向に傾斜しており、
X軸、Y軸及びZ軸を有する直交座標系において、前記半極性主面は、前記X軸及び前記Y軸によって規定される平面に沿って設けられ、前記半極性主面の前記法線は前記Z軸の方向に延在し、
前記キャリア走行半導体層及び前記スペーサ半導体層は、前記半極性主面上に搭載されており、
前記ヘテロ接合は、前記基準軸に対して傾斜した第2の基準平面に沿って延びており、
前記キャリア走行半導体層は圧縮歪みを内包し、
前記第1の電極及び前記ゲート電極は、前記半極性主面上に延在する第1の軸に沿って配置されており、
前記第1の軸は前記半極性主面上において前記所定の方向に延在すると共に、前記X軸の方向に延在する、ことを特徴とする化合物半導体電子デバイス。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ04
, 5F102GK04
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GQ01
, 5F102GR01
, 5F102HC01
