特許
J-GLOBAL ID：200903023344335708

電界効果トランジスタ

発明者：
黒田 正行

黒田 正行 について

, 
上田 哲三

上田 哲三 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-111451
公開番号（公開出願番号）：特開2008-270521
出願日： 2007年04月20日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：
【課題】ゲートリーク電流が小さいノーマリオフ型の窒化物半導体電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】基板上に(1 1 -2 0)面を主面とするアンドープのGaNが3mm、その上に、AlNが1nm、n型Al0.25Ga0.75Nが25nm、n型GaNが50nm形成されている。n型GaN上にTi/Alソース・ドレイン電極が形成され、ソース電極とドレイン電極の間にn型Al0.25Ga0.75Nの一部が露出した凹部が形成されている。この凹部の上に絶縁膜が形成され、絶縁膜に接する形でゲート電極としてPdSiが形成されている。このような構造にすることにより、ゲートリーク電流が小さいノーマリオフ型の窒化物半導体電界効果トランジスタを作製できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
(0 0 0 1)面に垂直あるいは傾斜して位置する面方位を主面として形成される第1の窒化物半導体層と、 その上に形成された前記第1の窒化物半導体層よりバンドギャップの大きい第2の窒化物半導体層と、 その上に形成された第3の窒化物半導体層と、 前記第2あるいは第3の窒化物半導体層の少なくとも一部に接する形で形成されたソース電極及びドレイン電極と、 前記ソース電極とドレイン電極との間に前記第2の窒化物半導体層の表面の一部が露出される形で形成された凹部と、 前記凹部の上方に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極と前記凹部の間に位置する形で絶縁膜を備えることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (1件)：
H01L29/80 H
Fターム (23件)：
5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR09 ,  5F102GS03 ,  5F102GS04 ,  5F102GT05 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-362426   出願人：日本電信電話株式会社
審査官引用 (8件)
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