特許
J-GLOBAL ID：200903076595045250
窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小林 茂
, 和泉 良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-325749
公開番号（公開出願番号）：特開2009-147264
出願日： 2007年12月18日
公開日（公表日）： 2009年07月02日
要約：
【課題】窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)において、電流コラプスフリーで、かつ高耐圧の、ノーマリーオン型およびノーマリーオフ型のHFETを実現することであり、特に後者を実現すること。【解決手段】窒化物半導体で構成されるチャネル層1に窒化物半導体で構成される障壁層2が非極性面または半極性面において接合し、ソース電極3・ゲート電極5間およびゲート電極5・ドレイン電極間3の障壁層2表面上には、SiO2、AlNまたはAl2O3で構成される表面パッシベーション膜6が形成されていることを特徴とするHFETを構成する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
窒化物半導体からなるチャネル層と、窒化物半導体からなる障壁層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極とを有する窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタにおいて、
前記チャネル層と前記障壁層との界面であるヘテロ界面が非極性面または半極性面であり、
前記ソース電極・ゲート電極間および前記ゲート電極・ドレイン電極間の前記障壁層の表面が、バンドギャップが6.2eV以上である表面パッシベーション膜で覆われていることを特徴とする窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 29/778
H01L29/80 Q
, H01L29/80 H
5F102FA01
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GQ01
, 5F102GR01
, 5F102GR04
, 5F102GS01
, 5F102GT01
, 5F102GT03
, 5F102GV05
, 5F102GV07
, 5F102HC01
, 5F102HC07
, 5F102HC21
