特許
J-GLOBAL ID：201303018241240597

半導体デバイス及びその製造方法

発明者：
松井 孝幸

松井 孝幸 について


出願人/特許権者：
エルピーダメモリ株式会社

エルピーダメモリ株式会社 について


代理人 (3件)： 池田 憲保 ,  福田 修一 ,  佐々木 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-062256
公開番号（公開出願番号）：特開2013-197281
出願日： 2012年03月19日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：
【課題】キャパシタを有する半導体デバイスでは、キャパシタにシリンダ撚れが発生する部分がある。【解決手段】シリンダ撚れが、キャパシタの支持に用いられるサポート膜に起因していることに基き、引張応力700MPaと圧縮応力700MPaの範囲内の応力を持つ材料によって、サポート膜を形成した。サポート膜としては、SiCNが好ましい。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
引張応力700MPaと圧縮応力700Mpaの範囲内の応力を有する材料によって、キャパシタを支持するサポート膜を構成したことを特徴とする半導体デバイス。
IPC (2件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/108
FI (2件)：
H01L27/10 621C ,  H01L27/10 651
Fターム (10件)：
5F083AD24 ,  5F083AD49 ,  5F083AD56 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR05 ,  5F083PR21
引用特許：
審査官引用 (2件)

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