成膜方法、これを含む半導体装置の製造方法、成膜装置、及び半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-176138
公開番号（公開出願番号）：特開2013-041879
出願日： 2011年08月11日
公開日（公表日）： 2013年02月28日
要約：

【課題】柱状形状を有し密に配列される電極の倒壊を防ぐことが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】電界効果トランジスタと、柱状形状を有するキャパシタとを有する半導体装置であって、前記電界トランジスタの不純物拡散領域と電気的に接続し、柱状形状を有する第1の電極と、前記第1の電極の少なくとも側面に形成される誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成される第2の電極と、前記柱状形状を有する前記第1の電極の長手方向と交差する方向に延び、前記第2の電極の少なくとも一部を貫通して前記第1の電極を連結するホウ素添加窒化シリコン膜により形成される支持膜とを備える半導体装置により、上記の課題が達成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数の基板を保持する基板保持部が収容される反応管と、シリコンを含む第1の原料ガスを前記反応管へ供給する第1のガス供給部であって、前記第1の原料ガスの前記反応管への供給及び停止を制御する第1の開閉弁を有する当該第1のガス供給部と、ホウ素を含む第2の原料ガスを前記反応管へ供給する第2のガス供給部であって、前記第2の原料ガスの前記反応管への供給及び停止を制御する第2の開閉弁を有する当該第2の原料ガス供給部と、チッ素を含む第3の原料ガスを前記反応管へ供給する第3のガス供給部であって、前記第3の原料ガスの前記反応管への供給及び停止を制御する第3の開閉弁を有する当該第3の原料ガス供給部と、前記反応管と、当該反応管と接続される排気部との間に設けられ、前記反応管と前記排気部とを連通させ、遮断する第4の開閉弁と、を備える成膜装置において行われる成膜方法であって、前記第4の開閉弁を閉じたまま、前記第1の開閉弁を開いて前記第1の原料ガスを前記反応管へ供給し、第1の期間の経過後に、前記第1の開閉弁を閉じて、前記反応管へ供給された前記第1の原料ガスを前記反応管に閉じ込め、第2の期間の経過後に、前記第4の開閉弁を開いて前記反応管内を排気し、第3の期間の経過後に、前記第3の開閉弁を開いて前記第3の原料ガスを供給することにより前記基板上に窒化シリコン層を形成する窒化シリコン層堆積ステップと、前記第4の開閉弁を閉じたまま、前記第2の開閉弁を開いて前記第2の原料ガスを前記反応管へ供給し、第1の期間の経過後に、前記第1の開閉弁を閉じて、前記反応管へ供給された前記第2の原料ガスを前記反応管に閉じ込め、第2の期間の経過後に、前記第4の開閉弁を開いて前記反応管内を排気し、第3の期間の経過後に、前記第3の開閉弁を開いて前記第3の原料ガスを供給することにより前記基板上に窒化ホウ素層を形成する窒化ホウ素層堆積ステップとを所定の回数ずつ繰り返すことにより、ホウ素添加窒化シリコン膜を成膜する成膜方法。

IPC (5件)：

H01L 21/31 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 21/768 , H01L 21/318

FI (6件)：

H01L21/31 C , H01L27/10 621Z , H01L27/10 671B , H01L27/10 651 , H01L21/90 P , H01L21/318 B

Fターム (71件)：

5F033HH07 , 5F033HH33 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033QQ04 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ16 , 5F033QQ19 , 5F033QQ26 , 5F033QQ28 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033SS01 , 5F033SS02 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033VV06 , 5F033VV10 , 5F033VV16 , 5F033XX00 , 5F045AA15 , 5F045AB31 , 5F045AB33 , 5F045AC03 , 5F045AC05 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045CA15 , 5F045DP19 , 5F045DQ05 , 5F045EE15 , 5F045EE19 , 5F045EH18 , 5F045EK06 , 5F058BA11 , 5F058BD10 , 5F058BD13 , 5F058BF04 , 5F058BF27 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F058BF39 , 5F058BJ04 , 5F083AD04 , 5F083AD42 , 5F083AD56 , 5F083GA09 , 5F083GA27 , 5F083JA02 , 5F083JA14 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083JA60 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA18 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083PR21 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (10件)

多層ナノラミネート構造を有する半導体装置の絶縁膜及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-118789 出願人：三星電子株式会社
成膜方法および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-102066 出願人：エルピーダメモリ株式会社
成膜方法及び成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-171557 出願人：東京エレクトロン株式会社

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